骁龙835处理器产能加速，三星投8万亿韩元扩产10nm及7nm

虽然三星去年10月份就宣布量产新一代10nm LPE工艺了，使用该工艺的处理器包括高通的骁龙835以及三星自家的Exynos 8895，但是这都快半年了，10nm工艺的产能、良率依然是个问题，以致于今年使用骁龙835处理器的旗舰机上市都会晚两三个月。这个问题也不光是三星自己遇到了，TSMC的10nm一样遇到延期问题，解决办法只有加大投资，扩充产能。三星日前宣布投资8.5万亿韩元(69.8亿美元)扩充现有10nm工艺产能，并为明年的7nm准备基础建设。

目前三星生产移动处理器最先进的工艺是14nm FinFET，下一代则是10nm FinFET，也有LPE低功耗及LPP高性能之分，不过LPP工艺要等到今年下半年才会量产，首先量产的是10nm LPE工艺。根据三星所说，新工艺下的SoC性能可以提供27%，功耗将降低40%。

最早使用10nm工艺的处理器是高通骁龙835，这款处理器也将是2017年各大手机厂商新旗舰必备的硬件配置，但是因为10nm工艺的产能、良率问题困扰，骁龙835以及三星自家的Exynos 8895量产时间都比前代芯片晚一些，上月的MWC展会上，LG发布的G6手机就只能使用骁龙821处理器，等不及骁龙835了，索尼倒是抢先首发了骁龙835手机Xperia XZP，不过上市时间还没确定。

要想解决产能问题，三星加大投资是必须的，日前该公司宣布斥资8万亿韩元、约合69.8亿美元以扩大半导体生产线，其中2.5万亿韩元将投向位于Hwasung-si的17 Line工厂，预计今年Q2季度早些时候将额外增加1.8万片晶圆/月的10nm产能——现在10nm的产能是2.5万片晶圆/月。

余下的大把投资则会瞄准未来的7nm工艺，三星与TSMC在7nm节点上同样竞争激烈，从之前官方公布的进展来看，TSMC在7nm节点上稍微领先一些，三星现在要加快追赶进度了。由于17 Line工厂没有足够的空间扩充7nm工艺，三星今年底准备新建一座工厂，到2019年下半年时预计月产能为3万片晶圆。

7nm节点对半导体厂商来说非常重要，因为它不仅是高性能节点，还因为7nm节点是新一代半导体生产装备EUV光刻工艺正式商用的节点。根据韩媒消息，三星已经订购了8台ASML公司的EUV光刻机，每台售价高达2.5万亿韩元(约合2.18亿美元)，光是为这些生产装备就花了17.4亿美元了。