通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
器件节省空间，高度仅为1.0 mm，适用于计算机和电信应用
VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01入围 “年度最佳模拟半导体产品”
汽车级金属化聚丙烯薄膜器件工作温度高达+125 °C，适用于混合动力和电动汽车
器件节省空间，工作温度达+125°C，高度仅为1.0mm，适用于计算机和通信应用
235 EDLC双层电容器经过1500小时85°C/相对湿度85%带电测试，使用寿命长达2000小时，适用于恶劣、高湿环境
器件符合AEC-Q200标准，适用于发动机舱，工作温度达+155 °C，高度仅为1.0 mm
器件尺寸60 mm，精度大于13位，分辨率达19位，重复精度大于16位。
传感器采用五种小型封装，快速响应时间为300μs，具有高度抗干扰能力，不受杂散信号影响
节省空间的200 V器件额定电流高达2 A，采用2.5 mm x 1.3 mm紧凑型封装，高度仅为0.65 mm。
器件可用于消费类和工业应用物体及碰撞探测
混合安装器件采用3939外形尺寸，额定功率高达20W，阻值低至2mΩ
器件在温度85°C，相对湿度85%，额定电压条件下经过1000小时THB测试以确保在恶劣环境条件下具有极长使用寿命
1212外形尺寸器件通过AEC-Q200认证，工作温度高达+155°C，高度仅为1.0mm
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