新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本
MJD系列现已上市，涵盖2 – 8 A和45 – 100 V，且增强了Nexperia的功率产品组合
这家威尔士半导体工厂将继续专注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半导体等车规级产品的生产
新增的技术、实验室和人员显示Nexperia对全球半导体市场复苏充满信心
奈梅亨，2021年5月27日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。
新器件已通过AEC-Q101认证，支持高达100 V的电压和20 A的电流，开关损耗低且安全工作区域增大
用于汽车多媒体和视频链路应用的高性能4通道ESD保护，提供出色的信号完整性
节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改善散热性能
双MOSFET器件通过节省空间、减少器件数量和提高可靠性，简化汽车电磁阀控制电路。
