校准值可以通过读取已知参考值然后找出要使用的校正因子(二进制因数)来计算。对于给出的示例,理想情况和最坏情况 ADC 值之间的差异永远不会超过 1.2%,因此从原始值的二分之一或四分之一开始是没有意义的。测试和使用的唯一值是 1/128、1/256 和 1/512。你想从接近你期望看到的价值开始。
许多微控制器都包含片上 ADC。典型器件包括 Microchip PIC167C7xx 系列和 Atmel AT90S4434。大多数微控制器 ADC 都是逐次逼近的,因为这可以在速度和微控制器芯片上的空间成本之间进行最佳权衡。
ADC 比较,显示了可用于 sigma-delta、逐次逼近和闪存转换器的分辨率范围。还显示了每种类型的最大转换速度。如我们所见,可用的 sigma-delta ADC 的速度达到了逐次逼近型 ADC 的范围,但甚至不如最慢的闪存 ADC 快。表格没有显示的是速度和准确性之间的权衡。例如,虽然我们可以获得范围从 8 位到 16 位的逐次逼近型 ADC,但我们不会发现 16 位版本在给定的器件系列中是最快的。最快的闪存 ADC 不会是 12 位部分,而是 6 位或 8 位部分。
将模拟输入带入微处理器的常用方法是使用模数转换器 (ADC)。以下是选择此类零件并对其进行校准以满足您的需求的一些提示。
在要求不高的应用中,选择电容器的一个关键因素可能很简单,即确保电容器的工作电压至少与电路的工作电压一样高,然后选择合适的电容值。选择连接方法(径向引线、轴向引线或表面贴装)并执行任何与尺寸有关的优化。可能会考虑温度和电压特性(TCC 和 VCC),但对于大多数商品应用来说,这些通常不是重要因素。
当我与一些知识渊博的锁相环 (PLL) 设计师合作时,我了解到了这一点。他们告诉我,除了 C0G 或 X7R 电容器之外的任何东西都会有问题。这个“问题”是,除了用于制造 C0G 电容器的电介质之外,任何电介质都使用天然压电材料,并且在变形时会导致电压在部件上产生。我认为 PLL 设计人员首先发现这个问题是在设计显示冷却风扇旋转频率处的射频边带时。风扇使 PCB 振动,这种振动导致相关电容器产生足够的压电电压来调制 PLL 的振荡器调谐线,从而产生边带。将电容器更改为 C0G 类型使问题消失。
与开关一样,继电器也有多种形式,包括通用型、电源型、簧片型以及接触器,它们旨在处理非常高的电流和电压以及固态设备。
开关和继电器制造商正在提供更多选项,以帮助设计人员为其应用选择合适的器件。 开关和继电器市场的最大趋势之一是需要更多选项来帮助设计人员为其应用选择最佳开关器件。其他更大的要求是更长的使用寿命、更小的封装和更大的坚固性。
钽电容器为高密度、高性能电子电路的设计人员提供了性能稳定的可靠高电容解决方案。钽电容器历来深受设计工程师的喜爱,广泛用于大容量储能、滤波和去耦等应用。钽电容器技术的进步包括聚合物阴极系统的成熟,这带来了更低的有效串联电阻 (ESR)、封装密度的显着提高以及有效串联电感 (ESL) 的降低。在这里,我们将研究这些发展对绩效的影响。
从本质上讲,大多数直流电流检测电路都是从电源线中的电阻开始的(尽管磁场检测是一个很好的替代方案,尤其是在更高电流的情况下)。一个简单的测量电阻两端的电压降并根据需要对其进行缩放以读取电流(E = I × R(如果我不包括这个,有人会抱怨))。如果检测电阻器位于接地端,则解决方案是一个简单的运算放大器电路。一切都以接地为参考,您只需注意接地布局中的小电压降。
我们可以根据可用数据为 X7R 电容器建立比较图表。显示了 DC 偏置、温度和时间老化对现代应用可能选择的两个电容器的累积影响。
当陶瓷电容器变坏时——老化。 电容器老化适用于所有 2 类陶瓷电容器,因为它们由铁电材料制成。C0G 类型(1 类)不会表现出这种老化效应,但是,它们是由非铁电介电材料制成的。
鉴于现在可用的 MOSFET 可供选择的范围很广,并且分配给主板电源的空间越来越小,使用可靠、一致的方法来选择正确的 MOSFET 变得越来越重要。这种方法可以加快开发周期,同时优化特定应用的设计。
GaN晶体管是新功率应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中,我们将使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 进行实验。
随着为个人计算机 (PC) 应用中的核心 DC-DC 转换器开发的同步降压转换器的开关频率向 1MHz-2MHz 范围移动,MOSFET 损耗变得更高。由于大多数 CPU 需要更高的电流和更低的电压,这一事实变得更加复杂。当我们添加其他控制损耗机制的参数(如电源输入电压和栅极驱动电压)时,我们需要处理更复杂的现象。但这还不是全部,我们还有可能导致损耗显着恶化并因此降低功率转换效率 (ξ) 的次要影响。
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