在 5V、3.3V 或更低电压下运行的低压系统通常需要具有 1V 或更低阈值或开启电压的有源 MOSFET 器件。对于模拟设计，该阈值电压直接影响工作信号电压范围。
EPAD MOSFET 专为实现器件电气特性的出色匹配而设计。这些器件专为实现最小失调电压和差分热响应而构建。由于集成在同一块单片芯片上，它们还具有出色的温度系数跟踪特性。
在电路设计中追求更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势，这给电气工程师带来了艰巨的挑战，因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来，工程师们一直将这些特性视为基本特性，并且可能阻碍了他们将可用电压范围最大化，否则会使新电路获得成功。
有时，一项引发根本性或戏剧性进步的技术或技术很快就会被最初创新的变化或改进所取代，锗基晶体管就是一个很好的例子。75 年前的 1947 年，当约翰·巴丁 (John Bardeen)、沃尔特·布拉顿 (Walter Brattain) 和威廉·肖克利 (William Schockley) 开发并展示了第一个晶体管(一种点接触器件)时，固态和现代电子时代诞生了。他们的晶体管使用掺杂的锗，金箔触点用小弹簧推到表面。
如今，从 PDA 和智能手机到医疗设备和测试设备，所有手持设备都触手可及，因此我们需要它们尽可能长时间地使用就不足为奇了。 然而，一个关键问题是运算放大器的速度，因为低功耗通常意味着有限的速度，例如带宽和转换率。我说“通常”是因为有例外，我们将在此处讨论。
在仪器仪表系统中，常常需要将检测到的连续变化的模拟量如：温度、压力、流量、速度、光强等转变成离散的数字量，才能输入到计算机中进行处理。这些模拟量经过传感器转变成电信号(一般为电压信号)，经过放大器放大后，就需要经过一定的处理变成数字量。实现模拟量到数字量转变的设备通常称为模数转换器(ADC)，简称A/D。
一种新的精密 MOSFET 阵列——旨在平衡和调节额定电压更高的超级电容器——适用于广泛的应用，如执行器、远程信息处理、太阳能电池板、应急照明、安全设备、条形码扫描仪、高级计量箱和备用电池系统。
预计 2018 年至 2050 年间，世界能源消耗将增长近 50%，原因是对可再生能源的需求增加、汽车工业系统 电气化，以及对电源管理应用中设备小型化和提高效率的需求不断增长。
SiC 器件正在取代现有 Si 器件的高影响力应用机会已经出现，包括 xEV 和铁路电力电子设备，具有更低的损耗和更低的冷却要求;具有降低冷却负荷和更高效率的新型数据中心拓扑结构;用于高效大功率电动机的变频驱动器，可降低整体系统成本;更高效、灵活和可靠的网格应用程序，减少系统占用空间;以及“更多电动航空航天”，重量、体积和冷却系统的减少有助于节能。就电动汽车而言，目前大多数使用 400V 总线架构，因此 650V SiC 器件与成熟且坚固的硅 IGBT 竞争，而 GaN 则在利润丰厚的牵引逆变器、DC/DC 转换器和车载充电器中竞争市场。
GaN Systems 销售和营销副总裁 Larry Spaziani 在接受 记者采访时 谈到了宽带隙半导体背后的技术、市场前景和机遇。
电力电子在采用 GaN 和 SiC 器件方面发生了变化。硅仍然主导着市场，但很快，这些设备的出现将引导技术走向新的、更高效的解决方案。Yole Développement 估计，到 2025 年来自 SiC 器件的收入将占市场的 10% 以上，而来自 GaN 器件的收入到 2025 年将超过 2% 的市场。一些主导市场的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在这个领域，GaN Yole Développement 拥有 Power Integrations 和 Infineon 作为参与者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等创新初创企业。
在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正将精力集中在这些类型的组件上，以创建高效转换器和逆变器。
电动汽车和可再生能源系统的电源管理解决方案必须降低性能和成本，同时还要缩短开发时间。电动汽车设计师(EV)、商业运输、可再生能源和存储系统现在可以极大地受益于碳化硅堆栈解决方案，该解决方案可提高性能并降低成本，同时将上市时间缩短最多六个月。由于 Microchip Technology 与 Mersen 之间签署的合作协议，Mersen 成为可能，Mersen 是一家全球电源管理解决方案提供商，服务于包括电动汽车和储能在内的多个行业。美尔森的 150 千伏安 (kVA) 三相碳化硅功率堆栈参考设计为系统设计人员提供了完整、紧凑、高功率的碳化硅解决方案，无需单独的设备采购、测试和鉴定。
尽管硅是电子产品中使用最广泛的半导体，但最近的研究表明它有一些局限性，特别是在大功率应用中。带隙是基于半导体的电路的相关因素，因为高带隙在高温、电压和频率下的操作方面具有优势。硅的带隙为 1.12 eV，而碳化硅的带隙值高 3 倍，为 3.2 eV，因此性能和效率更高，开关频率更高，总占位面积更小。
自从引入 USB-PD 规范及其演进以来，用于为从手机到笔记本电脑等日常电子设备供电的电源适配器的格局发生了巨大变化。虽然USB-PD确保了广泛的兼容性，但电源适配器设计变得更具挑战性：现在，电源适配器必须支持广泛的输出电压(与专用适配器的单一输出电压相反)。同时，最终用户对更轻、更小适配器的需求仍在继续。近年来引入了氮化镓功率开关来满足这些双重要求。
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