施耐德电气全新可编程自动化控制器选用赛普拉斯1MB串行nvSRAM

赛普拉斯半导体公司日前宣布施耐德电气公司在其两款全新可编程自动化控制器中设计采用了赛普拉斯的非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210与BMXERT1604控制器均采用赛普拉斯的CY14B101Q2 1MB nvSRAM作为其时间标记缓冲器。一旦检测到诸如开关闭合、电力线故障等事件，nvSRAM就会把它记录到滚动更新缓冲器(rolling buffer)。此类事件在整个产品生命周期会无限次出现，因此配备具有此功能的非常可靠的组件显得至关重要。

1MB串行nvSRAM器件可提供业界标准的SPI接口，工作频率最高可达40MHz。nvSRAM器件不使用电池，因此它们不但环保，而且无需进行维护——这一点对于生产工艺而言尤为重要。赛普拉斯nvSRAM具有无限次读、写和取回(recall)周期，数据保留时间长达20年，从而使其成为面向需要持续高速数据写入以及绝对非易失性数据安全的应用的最佳解决方案。

“赛普拉斯的串行nvSRAM以小尺寸为我们的BMXCRA31210与BMXERT1604可编程自动化控制器带来卓越的性能与可靠性，”施耐德电气公司工业控制业务部的工厂解决方案控制市场营销总监Marc Lafont指出，“可靠的事件记录功能对于自动化应用而言至关重要，而赛普拉斯的nvSRAM在这个方面有出色表现。”

“赛普拉斯nvSRAM团队在设计方面与我们紧密合作，而且提供了强有力的支持，”施耐德电气公司工业控制业务部的硬件架构师Jean-Jacques Adragna指出，“除了带来我们的客户所需要的可靠性，无需电池的串行nvSRAM也很环保，我们对此感到非常满意。”

“我们从2010年开始销售串行nvSRAM，而且也看到了这个业务领域的快速增长——像施耐德电气这样业界领先的工业控制解决方案供应商所采用的这种设计就是重要实证，”赛普拉斯非易失性产品业务部副总裁Babak Taheri指出，“我们的小封装串行nvSRAM具有无与伦比的耐用性，为我们的客户提供了一个安全网，让他们即使在断电情况下也能对关键数据的存储高枕无忧。”

1MB串行nvSRAM采用8引脚与16引脚SOIC封装。赛普拉斯的nvSRAM基于其S8™ 0.13微米SONOS(硅氧化氮氧化硅)嵌入式非易失性存储器技术而制造，能够实现更高的密度、更多的存取次数和更高的性能。nvSRAM解决方案理想适用于需要绝对非易失性数据安全的应用，如：RAID系统、工业控制与自动化(例如：PLC、电机控制、电机驱动器与机器人)、单板计算机、POS终端、电子计量、汽车、医疗与数据通信系统等。