兆易创新荣获北京市科学技术奖一等奖

21ic讯 由北京兆易创新科技股份有限公司和中芯国际联合承担的“超大规模集成电路先进闪存存储器成套工艺与产品技术研发及产业化”项目，根据《北京市科学技术奖励办法》的规定，经市科学技术奖励评审委员会评审，市政府批准，被授予北京市科学技术奖一等奖。

该项目属于集成电路技术领域，在2008年国家科技进步奖二等奖“90纳米-65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”的成果基础上研发出90纳米闪存产品和成套工艺，在国家02专项支持下的成果基础上研发出65纳米闪存产品和成套工艺。项目的主要研究内容包括产品开发和成套工艺开发，主要技术创新点体现在产品开发方面及成套工艺开发方面。超大规模集成电路90/65纳米NOR Flash产品应用面非常广泛，因而其需求量也非常大。它不仅能服务象SAMSUNG、华为、中兴、TOSHIBA、海尔、TCL、康佳、长虹、创维、TP-LINK等这样的电子整机客户，还可广泛地应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边，网络、电信设备、医疗设备、办公设备及工业控制设备等领域。90/65纳米工艺及产品的产业化也将带动国内各生产厂技术的提升。兆易创新这种无晶圆厂的设计公司和国内产业链的虚拟集成方式，能够很好地保持技术的先进性。

据中国半导体行业协会统计的2012年中国SPI NOR Flash市场品牌结构数据，兆易创新基于本项目成果在此细分市场取得了26.3%的市场份额，为国内市场上最大的供应商。此技术开发是国内首创，填补了国内在此领域无技术及产品的空白，实现了关键基础电子元器件的国产化，大幅度提升国内电子整机产业的自主能力，并推广应用于工业、通信、医疗等各个领域，逐步改变了“高性能、低功耗”存储器芯片只能依靠进口的局面。

2014年起，兆易创新计划和代工厂继续合作开发45纳米NOR Flash工艺及产品，进一步完善技术创新体系和制度，不断优化人才的培养和激励机制，合理配置科技资源，在公司内部建立信息通畅、矢志创新、结合紧密、流程高效的产、学、研科技创新平台，以充分发挥公司在基础设计研究、封装测试、及市场开发等方面的优势和资源，在45纳米工艺下继续开发256Mb/512Mb/1Gb 大容量NOR Flash 产品。在本项目的开发过程中，公司还会联合中科院微电子所及清华大学等科研院所，对存储器工艺及产品进行相关质量与可靠性评估，联合国内测试机及探针台与机械手厂家，共同开展新工艺下产品的国产测试设备的开发，同时与封测厂开展新型封装技术的开发，为产业链全本地化打通所有路径，推进半导体领域的技术创新。