Vishay将在Techno-Frontier 2011上展示最新技术方案

21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将参加2011年7月20至22日在Tokyo Big Sight举行的Power System Japan展览会，展示其最新的技术方案。该展会是Techno-Frontier 2011（2011日本电子、机械零配件及材料博览会）在电源系统方面的专业展览。Vishay展位号3T-211，Vishay的大批业内领先的半导体和无源电子元件将集中亮相。观众可了解Vishay的领先解决方案如何帮助设计者在各种各样的应用中满足其对节省空间和提高效率的特定需求。

Vishay在Techno-Frontier 2011上展示的产品线如下。
电阻：Vishay将重点展示采用霍尔效应技术的新型无触点传感器，这种传感器在20G的高频振动和50G的冲击情况下依然具有高性能。除用于功率计和电池管理应用的大电流Power Metal Strip®分流电阻外，包括专业汽车薄膜芯片电阻在内的独创SMD电阻方案将同台展出。

电感器：针对各种终端产品中的电压调节模块（VRM）和DC-DC转换器应用，Vishay将展示业内最小的和最大的SMD复合电感器，以及业内最薄的大电流电感器。

电容器：Vishay ESTA功率电容器将出现在展台上，同时展出的还有DC-link聚丙烯薄膜电容器，及针对极为重要的医疗和军工/航天应用提供威布尔失效率分级等筛选选项的高可靠性MicroTan®钽电容器。

二极管：Vishay将展出一系列为太阳能电池旁路保护、照明应用、桌面电源和更多其他应用而优化的新款二极管。展示的重点包括45 V TMBS®系列整流器，采用功率封装的200V和600V FRED Pt®极快和超快整流器，小尺寸、SMD标准的快速和超快雪崩整流器，采用D-PAK封装的200V和600V FRED Pt极快和超快整流器，以及低正向压降的桥式整流器。

MOSFET：Vishay节省空间的PowerPAIR®解决方案将出现在展台上，该产品集成了多个最优的低压MOSFET，可取代传统的分立式解决方案。其他产品还有采用PowerPAK® SO-8封装、具有低导通电阻的下一代40V～100V MOSFET，以及采用兼具超低导通电阻和对雪崩性能进行100%测试的Super Junction技术的高压MOSFET。

功率IC：Vishay的高精度模拟复用器系列将被展出，此外还有节省空间、提高效率的集成同步降压稳压器和DrMOS集成功率级。

光电子：重点展示的产品包括IGBT和MOSFET驱动，此外还有业界首款在一个小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的无引线、表面贴装封装内集成红外发射器、PIN光敏二极管、环境光探测器、信号处理IC和16位ADC的接近和环境光光学传感器。