EPC宣布位于弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN FET及IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

 为了进一步扩大eGaN FET及IC的应用范围、加大研发力度及帮助客户使用eGaN FET及IC并对器件进行评估，宜普公司宣布Blacksburg应用中心落成启用及聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师。

宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州的Blacksburg应用中心落成。该中心进一步支持增强型氮化镓晶体管及集成电路的研发及应用，从而扩大潜在市场的覆盖率。除了基于传统的场效应晶体管及集成电路的功率转换应用外，氮化镓技术推动新兴应用的出现，包括无线电源传输、应用于全自动驾驶车辆的激光雷达技术及 支持4G和5G通信标准的包络跟踪应用。

为了支持应用中心的运作，EPC公司聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师。Biswas博士的工作经验包括面向集成式光伏模块的转换器拓扑、并网逆变器及存储。此外，他的研发经验包括在移动设备面向能量收集的电力电子电路与集成的研发工作、面向移动平台系统的分布式功率架构、混合动力车辆和它与Smart Grid的互联等研发工作。他是IEEE会员，曾发表多篇经过同行审查的文章。Biswas博士从Indian Institute of Technology Kharagpur获得电机工程学的学士学位，并从University of Minnesota获得博士学位。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow博士称:「我们致力于开发及设计基于eGaN技术的解决方案并展示eGaN晶体管的性能比MOSFET及LDMOS优越。Blacksburg应用中心的落成成为我们持续扩大与客户的合作伙伴关系的一个重要里程碑。我们非常高兴Biswas博士在基于氮化镓技术的解决方案正在快速普及之时加入我们的团队。」