瑞萨发布 P沟道功率MOSFET
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瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻,用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日,将在日本开始样品发货。
与瑞萨科技先前的产品相比,HAT1125H的导通电阻大约减小了25%,是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低,将有助于设计小型、节省空间的系统。
笔记本电脑最近的趋势包括功能更高、CPU速度更快(随着处理信息量的增加,需要处理大量数据)、电压更低以及电流更大。因此要求DC-DC转换器电源管理开关,能够有效地控制更大的电流。由于开关电阻对损耗特性有不利影响,要求进一步减小这些电源开关中P沟道功率MOSFET的导通电阻。同时,随着系统越来越紧凑,需要减小安装面积。
为应对这些需要,目前瑞萨科技大量生产低导通电阻的HAT1072H,由于使用SOP-8尺寸LFPAK封装,具有很低的功率MOSFET导通电阻和热阻,现在已经开发出HAT1125H,通过使用更好的工艺进一步减小了导通电阻。
HAT1125H是P沟道功率MOSFET,具有–30 V漏源击穿电压和–4.5 V栅压。通过使用很好的工艺,改进并优化了元胞结构密度,从而可以达到2.7 mΩ (典型值)的导通电阻,与瑞萨科技目前的HAT1072H相比,大约减小了25%。它是业界导通电阻最低的SOP-8尺寸小型表面安装封装产品,提高了系统的输出效率。为了达到更低的电阻,很多系统并联使用多个功率MOSFET;在这些系统中使用HAT1125H,可以减少使用的功率MOSFET的数量、减小安装面积。
使用的封装形式是与先前型号相同的LFPAK SOP-8尺寸小型表面安装封装,由于使用无引线结构,使得引线引起的电阻、电感最小。
典型应用
· 电源管理开关:笔记本电脑和类似的便携式设备。
· 充电/放电控制电路:笔记本电脑使用的锂离子电池