面向隔离DC-DC转换器的低损耗功率MOSFET (瑞萨科技)

瑞萨科技公司（以下简称瑞萨）推出12款第10代、面向服务器、通信设备和工业设备等应用领域内电源中使用的隔离DC-DC转换器*1的功率MOSFET产品。新型功率MOSFET在降低开关损耗*2、提高能效的同时，还具有很宽的电压容差范围（40V、60V、80V 和 100V）。上述产品将于2009年12月3日起投入批量生产。

这12款新产品采用的第10代制造工艺在早期的、重点实现低导通电阻*2的功率MOSFET（主要用于非隔离DC-DC转换器）上已经得到了普遍认同。此项工艺在进行了优化后，更能实现比瑞萨先前产品低达50%的栅-漏极电荷（Qgd）*3。而栅-漏极电荷正是在功率MOSFET内实现低开关损耗的一个重要特性。此外，新产品所采用的高性能封装（瑞萨科技公司封装编号：LFPAK）还可降低封装电阻、改善散热特性、提升产品性能，从而使隔离DC-DC转换器提高效率、降低能耗。

新型功率MOSFET具有如下特性：

(1)栅-漏极电荷比瑞萨早期的产品约低50%（电压容差为100V的RJK1056DPB）
为了降低隔离DC-DC转换器的能耗，需要栅-漏极电荷（Qgd）较低（这是降低开关损耗的一个重要因素）的功率MOSFET。这12款新型功率MOSFET采用瑞萨第10代针对该应用进行了优化的0.18μm 工艺制造而成。例如，电压容差为100V的RJK1056DPB，其栅-漏极电荷为7.5nC，约为瑞萨早期产品HAT2173H（14.5nC）的一半。

(2)电压容差范围广（40V、60V、80V 和 100V）
隔离 DC-DC 转换器的输入和输出电压取决于所使用的功率MOSFET的电压容差。在隔离元件方面，隔离 DC-DC 转换器由充当输入端的主电源和充当输出端的副电源组成。新型功率 MOSFET 系列包含专门用于满足一次侧需求、电压容差为80V 和100V的产品，以及用于满足二次侧需求、电压容差为40V和60V的产品。用户可以选择最符合其要求的产品。

(3)高性能封装提升了产品性能
新型功率MOSFET采用瑞萨得到普遍认可的LFPAK（瑞萨科技公司封装编号）*4高性能封装。它提供了低封装电阻和出色的散热特性，能够防止元件出现过热的情况。与传统的SOP-8或类似的封装相比，该封装本身就为产品实现了低损耗。从内部直接连接到导线框上，从而降低了封装电感，保证了高频操作的实现。