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[导读]摘要:LM2727是一种低输出电压N沟道MOSFET高速同步降压开关稳压器控制器,它可以从2.2V~16V的输入得到0.7A~20A、低至0.6V的输出和95%的效率。文中介绍了LM2727的结构、特点及其组成的降压稳压器设计。关键词:LM2727

摘要:LM2727是一种低输出电压N沟道MOSFET高速同步降压开关稳压器控制器,它可以从2.2V~16V的输入得到0.7A~20A、低至0.6V的输出和95%的效率。文中介绍了LM2727的结构、特点及其组成的降压稳压器设计。

关键词:LM2727   同步降压   开关稳压器   设计

1、引言

LM2727是美国国家半导体(NS)公司为应用于有线调制解调器、机顶盒/家庭网关、DDR内核电源和高效率分布式电源而设计的一种N沟道功率MOSFET同步降压高速开关型稳压器控制IC。LM2727输入电压范围为2.2~16V,输出电压可调低到0.6V,负载电流从0.7A到20A,效率高达95%,开关频率利用单个电阻在50kHz~2MHz范围内可调节,并且提供电流限制、输出欠电压和过电压保护及电源好(Power Good, PG)标志。

2、LM2727的结构及其特点

LM2727芯片集成了振荡器、PWM比较器、反馈误差放大器、同步驱动逻辑、MOSFET高/低端栅极驱动器及电流限制、软启动、输入欠压锁定(UVLO)、输出欠电压与过电压保护(UVP/OVP)及电源好标志等电路,其内部结构框图如图1所示。

 


LM2727采用14引脚塑料TSSOP封装,引脚排列如图2所示。

LM2727各引脚功能见表1。

表1  LM2727引脚功能

LM2727的主要特点是:(1)输出电压可由电阻分压器设置,最低可调至0.6V;(2)电流限制无需传感电阻;(3)开关频率、软启动时间、电流限制电平等可编程;(4)提供输出UVP/OVP锁断、电源好标志和IC逻辑关闭,当输出电压降至正常值70%以下或高于118%时,IC则锁断。

3、基于LM2727的DC-DC降压稳压器原理与设计

由控制器LM2727的DC-DC开关型降压稳压器电路如图3所示。该电源电路的技术要求是:


输入电压Vin=5V;

输出电压Vo=1.2V;

输出电流Io=10A;

开关频率fsw=300kHz;

效率η=85%。

根据这些性能要求,设计程序和方法如下所述。

3.1  输入电容器选择

输入电容器Cin1,2用作抑制输入电流纹波。输入有效值电流纹波Irms-rip由输出电流Io和开关占空比D确定,计算公式为

  

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上式中:Io=10A;D=Vo/Vin=1.2V/5V=0.24,因此可得Irms-rip=4.27A。

Cin1,2可选用2个Sanyo的10MV5600AX(5600μF/10V)的铝电解电容器并联,这种电容器工作温度为105℃,在100kHz时的等效串联电阻ESR为18mΩ。Cin1,2也可选用MLCC、钽电容、OSCON、SP及POSCAPS等电容器。

Cin1,2用作高频旁路,滤除开关谐波和输入噪声,可采用2个1μF/10V的陶瓷电容相关联。

Vcc脚上的电容Cin和电阻Rin用作平滑Vcc电压和自举电压,Cin可选用2.2μF/25V的陶瓷电容,Rin采用10Ω的电阻,自举电容Cboot为0.1μF。

3.2  输入电感器Lin选择

输入电感器Lin用作抑制开关噪声并限制输入电流的转换速率。其电感值由无载到满载时Lin上的电压变化ΔV与输入电流最大变化率(di/dt)max确定,并可表示为

 Lin≥ΔV /(di/dt)max

ΔV可以视为满载电流通过输入电容器ESR引起的。由于输入电容总RESR=18mΩ/2=9mΩ,故ΔV=IoRESR=10A×9mΩ=90mV。在台式计算机等设备中,di/dt约为0.1A/μs,因此Lin≥90mV/(0.1A/μs)=0.9μH。输入电感器应能处理DC输入电流,该电流值为

IIN-DC=IOD/η=(10A×0.24)/0.85=2.83A

输入电感器可以选择TDK SLF12575T-1R2N8R2,其电感值为1.2μH,可处理8.2A的DC电流,DC电阻为7mΩ,尺寸为7.29×7.29×3.51(mm)。

3.3输出电感器L1选择

输出电感器L1用作平滑由开关作用产生的方波并控制输出纹波电流ΔI。其电感值由输入电压Vin、输出电压Vo、开关频率fsw、占空因数D和ΔIo共同确定,计算公式为

  

若峰-峰值输出电流纹波为负载电流的40%,所需要的电感值则为1.5μH。输出电感器必须能够处理峰-峰值电流(即Io+ΔIo/2=10A+2A=12A)因此L1可选用Coilcraft的DO5022-152HC电感器,其电感值为1.5μH,额定电流为15A,DC电阻为4mΩ,尺寸为22.35×16.26×18(mm)。

3.4  输出电容器选择

输出电容器C01~3用作控制输出电压纹波ΔVo并在负载快速变化期间施加负载电流。输出纹波电压ΔVo和纹波电流ΔIo决定允许最大ESR,即

RESR(max)=ΔVo/ΔIo

为了保持2%的峰-峰值输出电压纹波和40%的峰-峰值电感电流纹波,最大ESR值为RESR(max)=1.2×0.2V/10A×0.4=6mΩ。CO1~3可选用Sanyo的10MV5600AX,用三个这样的电容器相并联,总电容为16.8mF,总RESR=18mΩ/3=6mΩ。

3.5  频率设置电阻Rfadj选择

LM2727的开关频率由IC引脚FREQ上的外部接地电阻Rfadj设置。由于选择fsw=300kHz,Rfadj值为

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3.7  控制环路补偿元件选择

连接在LM2727引脚EAO和FB之间的RC1、CC1和CC2组成控制环路的补偿网络,用作改善误差放大器DC增益和频带宽度BW。选择RC1=229kΩ、CO1=4.7PF、CO2=270PF,可以获得63°的相补角和29.3kHz的带宽。

3.8  输出电压设置元件选择

连接在IC反馈脚FB上的电阻分压器Rfb1/Rfb2用作感测输出电压,也用来设置输出电压值。IC脚FB内部门限为0.6V,因此可得:

  
 
可以选择Rfb1=Rfb2=10kΩ。

3.9  电流限制电阻RCS选择

LM2727通过引脚ISEN感测Q2上的电压来限制输出电流。在低端开关Q2导通时,IC内部一个50μA的电流通过RCS,RCS值为:

RCS=RDSON(Q2)×ILIM/50μA

上式中:RDSON(Q2)为低端开关导通电阻;ILIM为限制电流。若Q2的RDSON(Q2)为10mΩ,ILIM为15A(当有足够余地),RCS则为3KΩ,可以选用3.3KΩ的标准电阻。

3.10  软启动电容CSS选择

LM2727脚SS上的外部接地电容CSS,用作设置软启动时间tss,计算公式为

CSS=tss/2.5×105

像微处理器等需要的延时一般为3ms,因此Css可以选用12nF/25V的电容器,例如Vishay的V71206X123Kxx,尺寸为1206。

3.11  功率MOSFET与自举二极管选择

在计算电流限制电阻时,电流限制值设定在15A,MOSFET的导通电阻不大于10mΩ,据此Q1和Q2可选用Vishay公司的Si442DY型功率MOSFET。

连接在Vin与IC脚BOOT之间的自举二极管D1,可选用30V的BAT-54型肖特基二极管。

3.12  效率的计算

DC-DC开关稳压器的效率取决于系统总功率损耗,MOSFET功率损耗在总功率损耗中居支配地位。

(1)MOSFET的功率损耗

MOSFET的功率损耗包括导通损耗、栅极充电损耗和开关损耗。

MOSFET的导通损耗PCnd为

PCnd=D(Io2RDSONK)+(1-D)( Io2RDSONK)

上式中:因数K=1.3;Si4442DY的RDSON=4.1mΩ;IO=10A;D=0.24。据此可得:RCnd=0.533W。

MOSFET的开关损耗Psw为

Psw=0.5VinIo(tr+tf)fsw

上式中:Si4442DY的上升时间tr=11ns,下降时间tf=47ns,Vin=5V,fsw=300kHz,因此可得Psw=0.435W。

MOSFET的栅极充电损耗RGC为

RGC=nVccQGSfsw

上式中:n为MOSFET数量,n=2;QGC为栅极电荷,Si4442DY的QGC=36nC。按上式计算的结果是PGC=0.108W。

MOSFET的总功率损耗PC(Q1,Q2)为

PC(Q1,Q2)=PCnd+PSW+PGC=0.533W+0.435W+0.108W=1.076W

(2)输入电容器损耗

输入电容器功率损耗RCin可根据下式计算:

  
 
上式中,n为电容器个数,n=2;RESR=18mΩ;I2rms-rip=4.27A。计算结果为PCin=0.082W。[!--empirenews.page--]

(3)输入电感器损耗

DC输入电流IIN-DC为

IIN-DC=IOD/η=10A×0.24/0.85=2.82A

输入电感器损耗PLin为

PLin=I2IN-DCRDC(Lin)=(2.82A)2×7mΩ=0.055W

(4)输出电感器损耗

输出电感器DC电阻RDC(L1)=4mΩ,其功率损耗RL1为

PL1=I2ORDC(L1)=(10A)2×4mΩ=0.4W

(5)LM2727芯片损耗

LM2727芯片电压VCC=5V,工作电流IQ-VCC=2mA,功率损耗PIC为

PIC=IQ-vcc VCC=2mA×5V=0.01W

此外,输出电容器形成降压开关变换器功率级的另一半,在计算效率时可以不考虑其损耗。

系统总功率损耗Ptotal为

Ptotal=PC(Q1,Q2)+PCin+PLin+PIC=1.076W+0.082W+0.4W+0.01W=1.568W

稳压器输出功率为PO=IOVO=10A1.2V=12W

系统效率η为

η=Po/(Po+Ptotal)=12W/(12W+1.568W)=88.4%

4、降压开关稳压器电路举例

一种3.3V输入、0.8V/5A输出的500kHz降压稳压器电路如图4所示。该电路的输入DC总线电压Vin为3.3V,LM2727的供电电压VCC为5V,系统效率达87%,Q1、Q2选用Si4442DY,D1选用BAT-54。


图5所示是一种单独为LM2727内部MOSFET栅极驱动器供电的降压稳压器电路。该电路消除了由D1和Cboot组成的自举电路,+12V的电源电压直接加至1C的BOOT端。这种稳压器的输入电压Vin为5V,输出为1.8V/3A,开关频率为600kHz。Q1/Q2采用Si4826DY型双N沟道MOSFET。

图6所示为应用于不对称数字用户线(ADSL)的降压稳压器电路。由于两个LM2727的引脚SS是连在一起的,故两个IC同时启动,软启动时间为5ms,1.8V和3.3V的两个输出同步发生。如果在一个电路中发生UV或OV故障,两个电路则同时锁断。电路的开关频率为1.4MHz,输出均为1A。Q1/Q2选用SO-8封装的Si4826DY,D1选用BAT-54。

5、结束语

LM2727是一种电压模式高速同步降压稳压器PWM控制器。这种多项参数可编程并具有电源好标志、输出关闭(SD)、电流限制和UVP/OVP的控制器,适合于机顶盒、薄客户机(thin clients)、DSL/线缆调制解调器等应用。

 

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