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[导读]单向可控硅无级调光器

15.单向<strong>可控硅</strong>无级<strong>调光器</strong>.gif

220V交流电通过灯泡H经VD1—VD4桥式整流,输出一全波脉动电压加在可控硅vs
的阳极与阴极之间,为可控硅提供开通所需的正向阳极电压。此脉动电压又经R1降压、VD5
剖波得到14~17V的梯形被电压,此电压加到由单结晶体管V'r2所组成的触发电路上,当
梯形波电压每次下降至霉而开始上升时,电源通过电阻RP、R6向电容C充电,使电容C
两端电压不断升高,当升至Y12的导通电压时,VT2导通,C就通过VT2向电阻R5放电,
在R5两端即在三极管VT1的基极上得到一正向尖端脉冲,VT1迅速导通,就向可控硅vs
的门极注入正向触发电压,迫使可控硅vs开通。在vs开通期间因vs的压降很小,梯形
波电压就几乎下降为零。当交流电过零时,可控硅vs关断,梯形波电压又从零开始上升,
电容C又重新开始充电,电路重复上述过程。调节电位器RP,可改变电容C充电时间快慢。
当RP阻值较小时,在梯形波一个周期里(即交流电的半个周期),电容C两端电压较先达
到VT2的导通电压,所咀可控硅vs的导通角较大,流过灯泡H的平均电流大,灯泡亮度
就较大;如RP的阻值调得较大,因充电时间常数较大,在梯形波的一个周期里,电容C两
端电压较后到达VT2的导通电压,所咀可控硅vs的导通角就小,流过灯泡的平均电流较
小,所以发光亮度也就较暗+因此通过调节电位器RP就可以达到改变灯泡H亮度的目的。

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