IR2110应用的典型连接图

IR 2110的典型应用连接见图12-37。通常，它的输出级的
工作电源是一悬浮电源，这是通过一种自举技术由固定的电源得
来的。充电二极管VD的耐压能力必须大于高压母线的峰值电压，
为了减小功耗，推荐采用一个快恢复的二极管。自举电容C的值
依赖于开关频率，占空比和功率MOSFET或IGBT栅极的充电
需要，应注意的是电容两端耐压不允许低于欠电压封锁临界值，否
则将产生保护性关断。对于5kHz以上的开关应用，通常采用
。．1f/F的电容是合适的。
    (z)为了向需开关的容性负载提供瞬态电流，应用中应在vcc
和COM间、VDD和y鹅间连接两个旁路电容，这两个电容及VB和
Vs间的储能电容都要与器件就近连接。建议Vcc上的旁路电容用
一个n 1VF的陶瓷电容和一个iFeF的钽电容并联，而逻辑电源
V∞上有一个o_ ipiF的陶瓷电容就足够了。
    (3)大电流的MOSFET或IGBT相对需要较大的栅极驱动
能力，IR 2110的输出即使对这些器件也可进行快速的驱动。为了
尽量减小栅极驱动电路中的电感，每个MOSFET应分别连接到
JR 2110的2脚和5脚作为栅极驱动信号的反馈。对于较小功率的
MOSFET或IGBT可在输出处串一个栅极电阻，栅极电阻的值依
赖于电磁兼容(EMI)的需要、开关损耗及最大允许dvldt值。