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[导读] 如图所示为高精度低偏置电流跟随器电路。电路中采用了通用型集成运放LM11C和场效应管输入型集成运放LF351。LM11C的偏置电流很小(约为l00pA),失调电压低(约为0.6mV),共模抑制比达110dB。LF351运算放大器的失调电压

<strong高精度低偏置电流跟随器(LM11、LF351)电路 src="/21ic_image/21icimage/200903/8954eb62a94e4e85daace1fe54699628.jpg" width=600 border=0>

 

如图所示为高精度低偏置电流跟随器电路。电路中采用了通用型集成运放LM11C和场效应管输入型集成运放LF351。LM11C的偏置电流很小(约为l00pA),失调电压低(约为0.6mV),共模抑制比达110dB。LF351运算放大器的失调电压为10mV,静态电流为3.4mA,输入偏流仅为200PA。电路中A2采用交流耦合,以减小偏置电流。该电路需要较长的过载恢复时间,其共模输入电压也不能超过±l0V,若将A2改为直接耦合,虽然可以消除上述缺点,但是当温度升高时其偏置电流将变大,造成工作不稳定。该电路对于10V的阶跃输入,电路的输出电压能在10μs内达到0.01%的精度水准。

LM11集成运放的主要参数(典型值):

 

 

LF351集成运放的主要参数(典型值):

 

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