FET输入、输入阻抗为1MΩ的AC阻抗变换器
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用串联N沟道J -F-ET和PNP晶体管,可以得到电源电
压利用率高的电路。栅极电阻Ri,Ri决定了直德工作点,
并使Tr2的集电极电压为V oc/2,5fTr1的开路放大倍数约为
.5倍。由于,r王的射般电阻为100 0,集电掇负载为lkQ,所
以其开路放大倍数约为10倍,总放大倍数为50倍(34dB),
由于负反馈也为34dB,因此,可以得劐信号失真小,频带
硫等特性§
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用串联N沟道J -F-ET和PNP晶体管,可以得到电源电
压利用率高的电路。栅极电阻Ri,Ri决定了直德工作点,
并使Tr2的集电极电压为V oc/2,5fTr1的开路放大倍数约为
.5倍。由于,r王的射般电阻为100 0,集电掇负载为lkQ,所
以其开路放大倍数约为10倍,总放大倍数为50倍(34dB),
由于负反馈也为34dB,因此,可以得劐信号失真小,频带
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