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[导读]电容测量电路b

21.<strong>电容测量电路</strong>b.gif

是电容测量仪,b是直读式电容测量仪的电路。这个测量仪能够测量几个皮法到0.1微法的电
容,量程分成25pF、lOOpF、lOOOpF、
0. Oll和0.lvF五档。由于测量原理是
线性的。可以直接用电流表刻度读数。G
充电,如图5-21b中实线所7F。
    当VT4导通的时候,被测电容e‘和
二极管VI)放电。VT4开关一次,被测电
容就充放电一次。被测电容大,每次充电
时通过电流表的电量多。另外.VT4每秒
钟开关的次数多,每秒钟通过电流表的电
量也多。每秒钟通过电流表的电量,也就
是通过电流表的电流。因此,通过电流表
的电流和被测电容成正比,和VT4的开关
频率成正比。如果要求通过电流表的电流
一样大。那么测量小电容的时候,VT4的
开关频率就要比较高。
    晶体管VT1、VT2、VT3等构成互补
再生对多谐振荡器。其中VT3是为了提高
电路的振荡频率,分析电路的时候可以认
为VT3的集电极发射极短路。电源一接
通,电源通过焉、风、RP给cj充电,如
图5-21c的实线所示。在开始的瞬间.Ci两端的电压降等于零,飓的电压降很小,不能使VT1导通。由
于VT1处于截止状态,R1上的电压降也很小,使VT2也截止.A点输出高电位。随着C,充电,G上的
电压逐渐升高,右正左负,到一定值后使VT1导通.Ri上的电压降增大,使VT2屯导通.A点输出低电
位。这时候,电源通过VT1的发射极、基极、Rz、VT2的集电极、发射极,给c】反充电,如图5-21c的
虚线所示。随着c1的反充电,cl上的电压逐渐升高,左正右负,到一定数值后使VT1截止.VT2也截
止,A点叉输出高电位,C-回到充电过程。这样进行下去,A点不断交替出现高电位和低电位,用来控制
VT4的导通和截止。接上不同的振荡电容C.~c5:“可以改变振荡频率,也就是改变VT4开关频率,用来
适应测量不同电容量的需要。
    C7—Cii是校准电容。在测量被测电容之前,先用校准电容去校准电流表。RP用于频率微调,校准时
调节它可使电流表满偏转。SB是双刀五掷开关,由SB1、SB2组成,做量程选择。转动SB,振荡电容和校
准电容一二对应。
    比如要测量一个几百皮法的电容,先把S2拨到“校准”处.SB1转到3处,调节RP,使电流表指针
满偏转。,然后把被测电容接在红、黑接线柱上,再把S2拨到“测量处”。这时候,如果电流表是lOOyA
的,撸针落在56FcA处,。那么被测电容就是560pF。如果被测电容容量范围不清楚,要先用最大量程测量,
等判断出范围后再用合适的量程测量。测量之前,最好先用百用电表欧姆档,判断被测电容是否有短路现
象。不要用这个仪表去测量已经短路的电容,否则容易损坏电流表

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