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安森美半导体为高速、硅锗数据和时钟管理系列推出更小型耐用的QFN封装
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，其硅锗（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平（QFN）封装，进一步拓展了该公司在高速数据与时钟管理元件市场的地位。这种封
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安森美半导体新推SOT553和SOT563微型封装集成瞬态电压保护器件系列
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）致力于不断推出高性能、节省空间的器件，新推出的五款保护器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563单封装内集成了多个瞬变电压抑制（TVS）元件。这些SOT5xx封装TVS器件不
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安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）不断提升产品性能，在其品种全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封装。这五十款器件[包括瞬变电压抑制（TVS）元件与肖特基二极管]现已提供低厚度的扁平引脚封装。今年稍后
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飞兆半导体全新8引脚逻辑器件封装MicroPak™ 8体积比US8减小60%
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引脚芯片级无引脚封装，具备1、2和3位逻辑和开关功能。全新的TinyLogic
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意法半导体智能驱动IC简化同步整流器的设计
意法半导体（纽约证券交易所：STM）推出一款同步整流器用智能驱动集成电路STSR2，新产品集成了一个特殊的电路，使设计人员能够利用场效应MOS管导通损耗低的优点，并且还能够提高电源变换器的设计效率。STSR2智能驱动
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意法半导体推出含有单板基准电压电路的双比较器集成电路
意法半导体（纽约股票交易所：STM）日前推出一个内置两个比较器和一个并联基准电压电路的单片集成电路。在电源和数据采集应用中，这个命名为TSM109的器件可以节省空间和成本。TSM109比较器的电源电压范围在±1V 到 ±
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泰科电子推出适用于电信和网络应用的FT600一次性保险丝
泰科电子Raychem 电路保护部今天发布了其首款适用于电信和网络应用的一次性保险丝。新型FT600保险丝系列产品能够帮助电信设备制造商达到北美过电流保护标准的要求，这些标准包括Telcordia GR-1089，FCC Part 68以及第
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带 400mV 基准电压的双路微功率比较器提高低压设计的精确度
凌特公司（Linear Technology）新推出的 LTC6700 双路微功率比较器集成了 400mV 超低基准电压，并采用 6 引线 ThinSOT™ 封装，非常适合在便携式装置中监视电源电压。它有强大的 40mA 电流输出，用于直接驱动发
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LVR 系列PolySwitch™ 器件为240伏交流线电压应用提供过电流和过热保护
泰科电子Raychem电路保护部今天发布了LVR系列的PolySwitch
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飞利浦扩展LFPAK封装的功率MOSFET系列
优化的LFPAK封装MOSFET具有接近于零的封装电阻和低热阻，电性能极好，所需元件数量更少皇家飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列，推出创新性的SOT669无损封装（LFPAK）。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计，
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汽车和工业电路保护应用中适用于高温环境的新型PolySwitch® RHE保护器件
泰科电子Raychem电路保护公司今天发布了两款应用于工业与民用电子中的PolySwitch
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IR推出绝缘型Co-Pack封装NPT IGBT 提高变速电机驱动器性能
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它们采用TO-220全绝缘型封装 (Full-Pak)，绝缘能力保证不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装，
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泰科电子Raychem电路保护部推出无铅SMD系列PolySwitch™器件
泰科电子公司属下的Raychem电路保护部公布其广受欢迎的PolySwitch SMD系列现已备有自复式无铅器件。SMD系列产品专为便携式电子设备、计算机及外设、通讯设备和汽车应用而设计，包括nanoSMD、microSMD和miniSMD C-des
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泰科电子Raychem电路保护部发布ROV系列过电压故障保护器件
泰科电子Raychem 电路保护部今日正式公布引进ROV系列金属氧化物压敏电阻（MOV）产品，适用于多种电源系统的过电压故障保护。该产品的应用范围包括安全系统、电源系统以及浪涌电压带电路等。ROV系列器件通过钳位高能量
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安森美半导体推出带专有集成保护电路的SmartDiscrete™功率MOSFET
新型低边功率MOSFET增加达46伏汽车和工业系统的稳定性、减少电路板空间并降低整体成本安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）进一步拓展其经济高效的高性能功率MOSFET系列，推出新系列的自护式SmartDiscrete
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