Microsemi发布全新65nm嵌入式快闪平台

致力实现智能化的安全互连世界的半导体技术领先供应商─美高森美公司( )宣布，旗下SoC产品部门(原为爱特公司 )发布全新65nm嵌入式快闪平台，以用于构建公司下一代基于快闪的可定制系统级芯片(system-on-chip, SoC)。美高森美的低功耗智能混合信号和系统关键系列SoC具有四输入查找表(look up , LUT)架构，将会集中使用化的65nm嵌入式快闪工艺。相比前一代产品，器件密度能够提高一个数量级，性能则提升一倍。新平台能够降低动态功耗65%，并提升*特性以降低静态电流，从而维持企业在低功耗领域的领导地位。未来的器件将备有总线接口，并集成增强的知识产权部件如嵌入式微处理器内核、DSP模块、高速收发器、存储器接口、非易失性闪存和可编程模拟部件。

美高森美SoC产品部市场推广及销售高级副总裁Jay Legenhausen称：“在现今的设计中，对低功耗、固件错误免疫力、安全性和高集成度需求是绝对不能妥协的。通过转向65nm工艺，我们能够提高产品密度并改善功耗特性和性能，从而瞄准范围大幅扩大的工业、医疗、军事/、航空、通信和消费产品市场。”

美高森美和台湾联华电子公司(UMC)是首批推出65nm嵌入式快闪工艺的企业，公司内部业已完成首个商业化硅器件。美高森美系统级芯片产品部门正针对商业和工业市场的先期采纳厂商推出客户导引计划，使这些厂商能够及早将新兴技术用于其下一代设计。

快闪技术在太空领域的应用

美高森美SoC产品部门的前身爱特公司，在过去20多年来致力于太空和航空工业的发展和创新，在卫星控制系统领域拥有的强大实力。Legenhausen续称：“我们计划扩展在市场的领导地位，瞄准性能、密度和信号处理能力均有关键要求的有效载荷应用。我们的非易失性快闪技术具备可重编程性和无与伦比的可靠性，是拥有强大的吸引力的。”

美高森美还宣布下一代基于快闪技术的耐辐射(RT) SoC的先期快报：第四代RT 具有多达2000万个系统门，提供更大的触发器、存储器和增强的嵌入式IP内核阵列。这些器件将包括数字信号处理(DSP)模块、PLL和高速接口(如Wire、/3、PCI )，以便快速、有效地在片上和片外获取数据。全新的基于快闪技术的架构能够缓减总体辐射剂量和单事件效应(SEE)。相比 ，美高森美基于快闪技术的耐辐射FPGA由于固有单事件翻转(SEU)免疫能力，因而无需电路板级别的缓减方案。

由于太空应用领域的设计周期通常较长，美高森美在一年多前已经就下一代太空飞行FPGA与客户接洽，而第五期全球 Forum讲座系列将于2010年12月2日在美国洛杉矶开展。