力旺电子推出全新反熔丝架构嵌入式非挥发性内存技术

嵌入式非挥发性内存厂商力旺电子日前宣布，正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse，此技术瞄准先进工艺平台，具备硅智财组件尺寸小与保存能力佳等特点，可满足客户产品在先进工艺产品之进阶需求。

目前NeoFuse技术已在多家国际级晶圆代工厂之65奈米、55奈米、40奈米与28奈米等低功耗与高压先进工艺通过组件技术验证，预计将于今年Q3通过可靠性验证并在Q4进入量产。延续在NeoBit技术开发的成功经验，NeoFuse技术的推出意味着力旺电子已将其单次可程序嵌入式非挥发性内存技术的布局版图从成熟工艺进一步推展至先进工艺。

NeoFuse为全新反熔丝(antifuse)架构之单次可程序嵌入式非挥发性内存技术，利用编程过程中的阻抗改变(impedance change)实现数据储存功能，并藉由外围电路的巧妙设计使NeoFuse IP具备低功耗、高可靠度与安全保密等特色。NeoFuse技术的特殊组件架构有效地降低工艺变异的影响，使得各内存位的一致性大幅提高。相较于代工厂所提供的传统eFuse，NeoFuse技术提供更小的组件与硅智财线路尺寸，无需以大电流熔烧，且在数据写入后不会留下熔烧的痕迹，此外及资料留存能力高，故特别适合面积小、高储存容量之应用，如(STB)、数字电视(DTV)与影像感测芯片(CIS ICs)等应用领域。

力旺电子之NeoFuse技术与标准制程完全兼容，无需加额外光罩，不会受限于传统eFuse不易转厂的限制，可协助客户大幅减少制造成本。秉持着与NeoBit IP相同的设计概念，在先进制程上的NeoFuse IP不仅提供友善的操作界面，降低IP使用上的难度与电路复杂度，同时具备高度灵活的使用弹性，使客户在系统上及产品应用阶段均能进行数据写入的动作。无论是提供程序代码储存( storage)、加解密码储存(encryption )、身份识别()或是电路调校( trimming)等，NeoFuse所提供的多样化，完全符合客户在芯片上的多元化需求。而针对相同编程内容且需大量出货的产品应用，力旺电子亦延续了建置在NeoBit平台上的NeoROM方案，提供给客户自NeoFuse转成ROM的弹性空间。

力旺电子持续投入创新研发能量，积极布局嵌入式非挥发性内存技术版图，目前已有NeoBit、NeoFlash、NeoEE、NeoMTP与NeoFuse等涵盖单次可程序与多次可程序之产品线，从成熟量产的工艺到先进工艺均具备最适合的，将能为客户提供更完整且全方位的硅智财导入服务。迄今力旺电子已拥有国内外专利超过330件，内嵌力旺电子硅智财之量产晶圆片数已超过550万片，是全球最被广泛使用之嵌入式非挥发性内存技术之领导厂商。