半导体三极管

;;; 半导体三极管，又称晶体三极管，简称三极管或晶体管。XC2C128-7VQG100C由于参与管子导电的有空穴和自由电子两种载流子，故又称为双极型晶体管。它是由两个相距很近的PN结构成的，由于PN结之间的相互影响，使三极管表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大功能，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。本节将围绕三极管为什么具有电流放大作用这个核心问题，讨论三极管的结构、放大原理、特性曲线及参数。
;;; 三极管的基本结构
;;; 三极管是在硅（或锗）基片上制作两个靠得很近的PN结，构成一个三层半导体器件，若是两层N型半导体夹一层P型半导体，就构成了NPN型三极管；若是两层P型半导体夹一层N型半导体，则构戍了PNP型三极管。三极管若在硅基片上制成，称为硅管；若在锗基片上制成，称为锗管。通常NPN型管多为硅管，PNP型管多为锗管。
;;; 无论三极管为哪种结构，都具有两个PN结，分别称为发射结和集电结；都形成三个区域，分别称作发射区、基区和集电区，由这三个区域引出的三个电极分别称为发射极、基极、集电极，并分别用字母e、b、c表示。NPN型和PNP型三极管结构示意图及电路符号如图1-3.1所示。电路符号中，发射极的箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。为了保证三极管具有放大特性，其结构具有如下特点：
;;; (1)发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度，以便于有足够的载流子供“发射”；
;;; (2)集电结的面积比发射结的面积大，以利于集电区收集载流子；
;;; (3)基区很薄，杂质浓度很低，以减少载流子在基区的复合机会。
;;; 通过以上描述可以看出，三极管的结构是不对称的，所以集电极和发射极不能对调使用。由于硅三极管的温度特性较好，所以应用较多。下面将以NPN型硅三极管为主进行原理分析。PNP型管的工作原理与NPN型管相似，不同之处仅在于使用时，工作电源的极性相反。