DGD0506和DGD0507 驱动半桥组态下的两部外接N沟道

Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 ICs，专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接 N 沟道 MOSFET。50V 的额定值可满足各种马达驱动需求，特别是无刷直流 (BLDC) 马达，这类马达越来越常用在电池供电的应用上，像是无人机、风扇、电子烟，以及包括电钻、手持吸尘器和搅拌器等无线电动工具。

DGD0506 和 DGD0507 驱动器采用逻辑准位输入 (2.5V 起)，可直接由 3.3V MCU 控制，输出步进最高到 VCC 供电 (8V 至 14V)，确保 MOSFET 获得完整强化，降低传导损耗。这些驱动器具备 1.8A 源极电流和 2.5A 汲极电流，可将拥有极低导通电阻 RDS(ON) 的 MOSFET (包括 Diodes 的 DMT4002LPS) 切换时间缩到最短，提升整体系统效率。

DGD0506 和 DGD0507 闸极驱动器整合自举式二极管，可减少使用组件数量，并采用小巧的 3mm x 3mm DFN3030 封装，极适合空间与重量均受限的应用。DGD0506 半桥仅需单一输入，可将 MCU GPIO 脚位数减到最少，并可设定盲时为 70ns 至 420ns，提供设计上的弹性。如需更短的盲时，DGD0507 具备独立的高侧与低侧输入，可用于更高的切换频率，传输延迟最大 35ns，能在 5ns 内完成匹配。再加上其具备的防跨导电路逻辑，确保高侧与低侧输出不会同时导通，藉此保护 MOSFET。欠压锁定 (UVLO) 电路也能保护 MOSFET，避免发生供电中断。

DGD0506 和 DGD0507 采用 DFN3030 封装，能为业界常用的类型提供脚位相符的替代方案。这两部装置的定价都非常有竞争力。