英特尔Broadwell-E据称推迟到2016年 Skylake-S已经采样

英特尔喜欢为每一个新的CPU架构推出数款发烧级产品。例如最近我们看到英特尔推出的Haswell-E产品线，这是普通Haswell产品发布一年之后的发烧级产品。英特尔正在准备年底推出Broadwell产品，所以很自然地看到许多泄露的路线图显示英特尔准备在2015年年底推出Broadwell-E发烧级产品。

不过根据VR-ZONE网站报道，英特尔已经推迟了Broadwell-E发烧级产品发布时间，最新时间表显示，这些产品要到2016年才能发布，而采样时间定在2015年第二季度。

据其透露，Broadwell-E封装类似于Haswell-E。这意味着我们将得到多达八个物理核心，40个PCIe通道，高达20 MB的高速缓存，并支持四通道DDR4-2400。一个主要的区别是Broadwell-E切换到14nm制造工艺，但是Broadwell-E的TDP 功耗据称将保持不变为140W。

英特尔还声称即将到来Skylake-S即将进入采样阶段。据预计，这些处理器将在2015年下半年批量生产，为年底销售旺季做好准备。

Skylake-S系列产品的TDP功耗最高90W，将支持DDR4和DDR3内存，目前采样样品最高工作频率达到2.9 GHz，它们需要一个新的CPU插座 - LGA1151，这意味着它不会与现有的Haswell主板兼容。