相变存储器已经悄悄现身在手机产品中
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相变存储器(phase-change memory,PCM) 已经悄悄现身在手机产品中?根据工程顾问机构 UBM TechInsights 的一份拆解分析报告,发现在某款神秘手机中,有一颗由三星电子(Samsung Electronics)出品的多芯片封装(multi-chip package,MCP)存储器,内含与NOR快闪存储器兼容的相变存储器芯片。
TechInsights拆解的手机产品,基于客户机密不透露型号与厂牌;该机构表示,要等到与客户之间的工作告一段落,才能公布该手机到底是哪一款。三星曾于4月时透露,该公司将在第二季出货一款内含512Mbit相变化存储器芯片的 MCP ;当时三星并未透露该产品将采用哪种制程技术,仅表示该产品“相当于40奈米NOR快闪存储器。”
业界认为三星将采用65纳米至60纳米制程生产上述存储器;而拆解分析报告以显微镜所量测出的半间距(half-pitch)存储器长度(如下图),是每微米(micron) 8个记忆单元(cell),就证实了以上的猜测。
三星512Mbit相变化RAM的横切面
现在已经被美光(Mciron)合并的恒忆(Numonyx),在2008年发表了一款90纳米制程128Mbit相变存储器,并在2010年4月以 Omneo系列串列/并列存取存储器问世;但是到目前为止,该公司都未透露任何有关该产品的设计案或是量产计划。此外恒忆也开发了一款45纳米制程的 1Gbit相变化存储器,但这款原本预期今年上市的产品,迄今也未有后续消息。
UBM TechInsights已经确认,三星的512Mbit相变化RAM (PRAM)芯片,商标号码为KPS1N15EZA,与一颗128Mbit UtRAM芯片以MCP形式封装在一起,并应用于手机产品中。该款三星的PRAM芯片由4层铝互连层与存储器元素所组成,顶部与底部的电极 (electrode contacts)是装置在铝金属与硅基板之间。
内含PCM的MCP存储器外观
“最近业界对相变化存储器技术的微缩极限有争议,再加上恒忆的产品延迟量产,让人质疑PRAM是否真能接班成为新一代存储器;”UBM TechInsights 资深顾问Young Choi表示:“对相变化存储器已经应用在手机的发现,清楚表明了产品设计工程师已经开始使用这种具潜力的技术。”
包含相变化存储器MCP的手机主机板拆解图