DS1250W 3.3V 4096k全静态非易失SRAM

时间：2015-12-24 22:13:24

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[导读]DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为 4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦

DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为 4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250W器件可以用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1250W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年

掉电期间数据被自动保护

替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存

没有写次数限制

低功耗CMOS操作

100ns的读写存取时间

第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态

可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

JEDEC标准的32引脚DIP封装

PowerCap模块(PCM)封装

表面贴装模块