新兴内存技术抢占市场,抗衡DRAM、NAND Flash还是太嫩?
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内存是半导体的主力产品之一,目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。
不过,由于DRAM必须持续上电才能保存数据,NAND Flash又有读写速度较DRAM慢,且读写次数相对有限的先天限制,因此内存业者一直试图发展出新的内存架构,希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性。
根据研究机构Tech Insights估计,包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存,都已陆续进入小量生产阶段。 不过,这些新兴内存技术中,除了少数例外,要发展到能跟DRAM、NAND Flash分庭抗礼的程度,恐怕还需要很长的一段时间,因为DRAM与NAND Flash已具备极为庞大的经济规模,即便新兴内存技术在性能方面明显优于现有内存,在供货稳定度、成本方面也未必能与现有内存技术比拚。
有鉴于此,某些新兴内存技术选择朝利基市场发展,抢攻DRAM、NAND Flash不适合应用的领域,例如德州仪器(TI)、柏士半导体(Cypress)、富士通微电子(Fujitsu)的FRAM,便主要锁定汽车应用或作为微控制器(MCU)的内嵌内存。