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RF功率技术的手机市场的领先供应商,飞思卡尔半导体公司,今天公布其首个射频功率放大器等产品使用的氮化镓(GaN)技术构建的。该公司的射频功率GaN产品将首先针对蜂窝基础设施市场,与未来潜在的应用包括航空电子设备,雷达,ISM和软件定义无线电。

“飞思卡尔的氮化镓射频功率解决方案强调我们的技术无关的方法,”
飞思卡尔的第一氮化镓产品,AFG25HW355S的设备,是业界最全面的功率放大器解决方案组合的最新射频功率市场。目前飞思卡尔的RF功率产品包括12V,28V和50V硅LDMOS产品,砷化镓HBT的5V,5V和12V的GaAs pHEMT的解决方案,和高频SiGe技术具有操作高达100 GHz和超越。

“飞思卡尔的RF部副总裁和总经理Ritu Favre表示,”飞思卡尔的氮化镓射频功率解决方案的射频功率市场,强调我们的技术无关的方法。“工作与发展氮化镓2000年代中期以来,我们已经建立了一个成本效益,性能和可靠性的完美结合,现在是时候添加氮化镓为基础的产品,我们浩如烟海的射频功率放大器解决方案。”

AFG25HW355S是1 350W,高性能的包(HIP),2:1不对称的设备具有以下特点和性能指标:

2.3吉赫,2.7吉赫56 dBm峰值功率50%的效率16 dB的增益NI-780封装

功率放大器采用GaN技术的优势,包括产品体积更小的形式因素,低寄生损耗,提高功率密度和更高频率的操作。潜在的氮化镓蜂窝应用包括准线性,高效率(多尔蒂),高功率脉冲(非直线)应用,宽带功率放大器和开关模式放大器配置。

可用性
的AFG25HW355S也将很快面市选择客户提供完整的资格,并计划在2013年第二季度批量出货,样品数量。有关详细信息,请联系您当地的飞思卡尔销售代表。

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