突破现有CMOS工艺限制的晶体管技术(图)

Freescale半导体公司的ITFET（Inverted T Channel-Field Effect Transistor)技术实现了在一个单一晶体管中结合了平面和垂直薄体结构，克服了垂直多栅晶体管所面临的许多设计和生产上的挑战，有望开创高性能、低功耗、小体积的新一代半导体器件。
通过结合CMOS的稳定性和垂直CMOS的低漏电流等优点，该项技术结束了平面CMOS和垂直CMOS之间的争论，在单一器件内实现了两者的综合优点。


由于在垂直沟道下的平面区混合了硅，并且增加了沟道宽度，ITFET的垂直区和平面区可提供增强的电流能力，可降低寄生电阻，增强垂直沟道的机械稳定性。同传统CMOS相比，该技术可实现多栅极、有更大的驱动电流，可降低漏电流，比其他平面薄体CMOS和垂直多栅CMOS具有更多优点，如：更低的漏电流、更低的寄生电容、更高的导通电流等。该ITFET技术计划应用于基于45nm及以上工艺的高端器件。
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