稳压二极管原理

稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管 。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图，稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。

稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图4-11所示。

(a) 符号　　　　 (b) 伏安特性 　　　　　(c) 应用电路

图4-11 稳压二极管的伏安特性

稳压管的主要技术参数。

(1) 稳定电压UZ --在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。

(2)最大稳定工作电流IZmax 和最小稳定工作电流IZmin—IZmax～IZmin是稳压管正常时的电流范围。若IZIZmax，管子会因过热而损坏。

(3)动态电阻rZ—其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。

rz =△UZ /△IZ