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[导读]负载电容(请参阅数据表中的具体说明)注:有效负载电容晶振制造商通常会在晶振的数据表中定义有效负载电容。从电子学角度来说,电容器以串行方式连接到引脚XIN 与XOUT上,这时有效负载电容为:C(eff) = {C(XIN) ? C(X

负载电容(请参阅数据表中的具体说明)

注:有效负载电容

晶振制造商通常会在晶振的数据表中定义有效负载电容。从电子学角度来说,电容器以串行方式连接到引脚XIN 与XOUT上,这时有效负载电容为:

C(eff) = {C(XIN) ? C(XOUT)}/{C(XIN) + C(XOUT)}

因此,晶振的数据表中规定12pF的有效负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT上具有22pF(2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生电容)。 MSP430x1xx 与 MSP430x3xx 系列为32kHz振荡器提供了约12pF的固定集成负载电容器,并且无需任何其它外部负载电容器即可支持需要6pF有效负载电容的晶振。高频率 XTAL 振荡器无内置负载电容器。 MSP430x4xx 系列为低频率与高频率模式下的LFXT1 振荡器提供了软件可选的集成负载电容器。该器件数据表中提供了可选值。XT2 振荡器没有任何内置负载电容器。

ESR

为了确保振荡器操作稳定,MSP430x1xx 与MSP430x3xx 系列均需要ESR < 50kOhm的32kHz晶振。MSP430x4xx 系列的低功耗振荡器需要 ESR < 100kOhm的 32kHz 晶振。 高频率晶振的建议 ESR 值是 <= 40Ohms(频率为8MHz时)。 与建议的最大值相比,ESR的值越低,振荡器启动性能与稳定性也越好。

设计考虑事项:

使晶振、外部电容器(如果有)与 MSP430 之间的信号线尽可能保持最短。当非常低的电流通过MSP430晶振振荡器时,如果线路太长,会使它对 EMC、ESD 与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。

如果MSP430在插座中:请注意插座会给振荡器增加寄生电容。

尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。

当心晶振和地的走线

晶振外壳接地

当 VCC < 2.5 V 时,MSP430x1xx 的 LFXT1 振荡器要求在LF模式下使用从XOUT 到 VSS 的 5.1MOhm 电阻器。

一般电容的计算公式是:

两边电容为Cg,Cd,

负载电容为Cl

cl=cg*cd/(cg+cd)+a

就是说负载电容15pf的话,两边个接27pf的差不多了,一般a为6.5~13.5pF

扩展阅读:关于RC阻容复位电路的问题

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