三星砸钱瞄准东芝 台DRAM厂喘口气
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三星在5月中旬宣布全球半导体史上最大资本支出计划,并表示要兴建Fab16厂房,月产能达20万片,全球DRAM产业立即兵败如山倒,尤其是正进行一连串募资计划的台系DRAM厂,受到该消息波及,股价跌跌不休。不过,存储器业者经过探询分析后认为,三星这次杀敌喊话,表面上是冲击台系DRAM厂募资行动,并重挫美、日阵营士气,但实际上真正威胁到的敌人是NANDFlash产业劲敌东芝,这次三星巨额资本支出计划,应有很大部分是投资在 NANDFlash事业上。
事实上,三星近几年在NANDFlash市场占有率从独占时代高达50%,滑落到至今已不到 40%,东芝在2010年第1季市占率已逼近三星,且东芝又宣布与新帝(SanDisk)要在日本新建1座新厂房,持续扩充NANDFlash产能,东芝不断对外喊话,一定要取回全球NANDFlash龙头宝座。
存储器业者指出,若三星在NANDFlash市场龙头宝座拱手让给东芝,对三星恐是一大挫败,三星未来在NANDFlash产能扩充上,绝对会猛加油门,预计这座新的Fab16厂房大部分产能,都是生产 NANDFlash芯片。
此外,最近三星最常挂在口中的重点业务,包括LED、电池、太阳能、生物科技、医疗等5大新兴事业体,存储器业者认为,该5大新兴事业体将是三星未来在存储器之外,极力著墨领域,加上切入晶圆代工市场,亦是三星另一项重要标的,三星未来对于DRAM产业威胁可望低于预期。
存储器业者指出,全球DRAM市场已大势底定,三星龙头地位无可动摇,目前三星市占率约30%,美光 (Micron)和尔必达(Elpida)都不是对手,若三星持续扩充DRAM产能,进而将市占率提升至40~50%,未来恐面临反柯断问题,以及下游系统客户戒心,担心货源掌控在三星手上,对于三星未必是好事。