业界最高水准8吋氮化镓上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研发

LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商Bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的 8 吋氮化镓上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA电流，电压小于 3.1V，仅1.1mm 大小的LED芯片，亮度可达 614mW。Bridgelux 与 Toshiba在今年数月前才刚签署一项共同合作协议，接下来双方将进一步加快开发 LED 芯片的脚步，以因应全球对 LCD 面板和照明系统日渐增加的需求。

Toshiba 亦对Bridgelux 进行股权投资，以期共同追求固态照明（Solid State Lighting，SSL）领域的技术创新；这项投资将进一步促进两家公司于 固态照明 领域的发展，并以Toshiba先进的矽加工和制造技术开发能力为基础，加速推动 Bridgelux 氮化镓上矽 LED 芯片技术的研究与开发。

Bridgelux 执行长 Bill Watkins 表示：“Toshiba 与 Bridgelux长期携手开发技术，而股权投资将使两家公司形成更密切的策略关系，以达到促进降低照明市场中固态照明解决方案成本的共同目标。”

Toshiba 副总裁暨半导体与储存装置产品执行副总裁Makoto Hideshima表示：“我们很高兴能与 Bridgelux 共同进行开发活动，达到业界最佳效能的8 吋氮化镓上矽 LED产品。我们将持续追求最先进的技术，目标将技术进一步商品化。”