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[导读]InnoSwitch-CE IC集成了一个具有精确输入过压/欠压监测功能的650 V MOSFET,可提供出色的输入浪涌和电压骤升保护。新器件支持多路输出的应用,同时具有精确的外部电流检测功能。

Integrations公司发布InnoSwitch™-CE IC,新器件是InnoSwitch系列恒压/恒流离线反激式开关IC的子系列。InnoSwitch-CE IC适用于TEC法规相关的消费电子应用(TEC法规是由政府认定的重要总能耗法规)。

InnoSwitch IC采用了名为FluxLink™的磁感耦合技术,该技术由Power Integrations发明,可在省去不可靠的光耦器的前提下同时对初级和次级MOSFET进行精确开关控制。这种拓扑结构提供了高效的同步整流,同时不会在动态负载或输入浪涌期间造成初次级开关管同时导通,发生击穿的风险,从而提高产品可靠性。该技术还具有出色的交叉调整率,通常可省去多路输出设计中的DC-DC转换器电路,进一步提高电源子系统的效率并降低系统成本。

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InnoSwitch-CE IC可应用于智能移动产品的适配器和充电器以及机顶盒、计算机显示器和其他消费类音视频产品和娱乐产品的敞开式电源应用。InnoSwitch-CE IC的空载功耗不足10 mW,并且在整个功率范围内还具有极高的效率,可降低低待机功耗或睡眠模式的能耗,这对于满足具有挑战性的TEC规定通常至关重要。

InnoSwitch-CE IC集成了一个具有精确输入过压/欠压监测功能的650 V MOSFET,可提供出色的输入浪涌和电压骤升保护。新器件支持多路输出的应用,同时具有精确的外部电流检测功能。

Power Integrations产品营销总监Shyam Dujari表示:“消费电子产品需要尺寸小巧并且功耗极低。非常重要的是,大部分此类产品,比如机顶盒和显示器,在不使用时一直都插在电源插座上。由于InnoSwitch-CE IC集成了同步整流驱动电路,并且在整个负载范围内(包括待机和闲置模式)都具有高效率,因此对于面临TEC要求挑战的设计师而言,是一个重要的新选择。”

采用InnoSwitch-CE的电源设计可超越所有国际能效标准对于能效的要求,如ENERGY STAR®、加州能源委员会标准、欧盟行为准则(CoC)第5版Tier 2标准以及美国能源部标准(DoE 6)。它们已通过UL1577和TUV (EN60950)安全认证,符合EN61000-4-8 (100 A/m)和EN61000-4-9 (1000 A/m)标准。

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