瑞萨科技推出小型PIN二极管
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HVL147和HVL147M的主要特点如下：
1. 电容小、导通电阻低、谐波失真度小
二极管的电容、导通电阻和谐波失真度这三个主要参数之间需要折衷。瑞萨科技利用沟道结构*1和外延层优化*2的方法，同时对这三个参数作了改进。与瑞萨科技以前的产品相比，电容减少了15 % （在f = 1.8 GHz时）、导通电阻降低 了40 %（在IF = 1 mA时）、谐波失真度下降了3 dB（在Pin = +35 dBm时），由于损耗小、驱动电流较低、噪音较小，可以设计出性能较好的系统 。
2. 特别小而薄的封装
与以前的产品一样，HVL147采用同样的超小型 EFP（Extremely Small Flat Lead Package）封装 ，芯片的尺寸为 0.8 mm × 0.6 mm × 0.5 mm （典型值），而 HVL147M 则采用 TEFP （Thin-EFP）封装，厚度为0.4 mm（典型值），比EFP封装更薄，因而可以把产品设计得更加小、更加薄。
移动电话和无线局域网产品等高频无线通信产品正在迅速地普及，人们要求使用三频带或者类似的多频带，并且要求具备多种功能。在这种情况下，不仅要求发射/接收开关更薄、更轻，还要求改善发射损失、节省功耗并改善向外发射的干扰，以便工作电流降低到1 mA甚至更低。
瑞萨科技公司目前大批量生产的HVL142A是用作发射/接收开关的PIN二极管，但是要同时改善电容、导通电阻和谐波失真度这三个主要特性，从而达到前面讲到的要求，用普通的技术是很难做到的。瑞萨科技通过改变芯片结构并且对工艺进行了优化，研制了HVL147 和 HVL147M，这三个特性都得到改善。
对于 HVL147 及 HVL147M这两种 PIN二极管 ，由于把以前的产品（例如HVL142A）使用的平面结构改为沟道结构*3，并且对影响这三个特性参数的外延层和工艺进行了优化，电容、导通电阻和谐波失真度这三个主要特性参数都得到了改善。
具体地讲，与HVL142A相比，电容减少了15 %，在频率为1.8 GHz时的电容下降到 0.16 pF；导通电阻降低 了40%，在电流为 1 mA时，导通电阻为2.1 Ω；谐波失真度下降了3 dB，在Pin = +35 dBm时的谐波失真度为 –45.1 dBc。在作为发射/接收开关使用时，特性参数的上述改善具有以下益处：
(1) 由于在关断时的电容较小，可以改善在发射/接收期间的隔离性能和发射损失，因而噪音较低、效率较高。
(2) 由于降低了导通电阻，有可能降低驱动的偏置电流，因而可以通过低功耗设计来节省功率。
(3) 由于改善了高次谐波失真度，既使在输入很强时，向外发射的电磁干扰也很低，因而能够降低噪音。
HVL147使用的EFP封装 和 HVL147M使用的TEFP封装极小、很薄，而且在封装的外面装有引脚，在安装之后，可以用肉眼检查焊点。
将来，计划利用这项技术增加产品的种类，扩大其用途，其中包括研制进一步降低电容、提高隔离性能的产品，以及着重降低导通电阻、从而改善损耗特性的产品。
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