迎战台积电 联电展示28nm制程

台湾代工厂商联电（UMC）展示了28nm制程的SRAM芯片，为推出28nm制程奠定基础。该技术既支持高k金属栅也支持二氧化硅制程。

UMC在300mm晶圆厂中进行28nm制程的研发，晶体管密度是40nm制程的两倍。在28nm平台上，UMC也同样接受定制的32nm代工业务。目前28nm/32nm制程时间表尚未公布。

此前，UMC的竞争对手台积电（TSMC）也发布了28nm制程，IBM也已推出了22nm SRAM。

UMC的28nm制程基于其低漏电流工艺技术，采用双版沉浸式光刻及应变硅技术，6管SRAM单元面积约为0.122平方微米。

和TSMC一样，UMC支持两种栅技术，支持面向便携式产品的传统硅栅/硅氧氮栅技术以及支持面向图形芯片、高速通讯IC的高k金属栅技术。