英特尔美光量产34nm NAND闪存
时间：2008-11-26 13:53:09
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[导读]英特尔和美光日前开始量产双方联合开发的34nm 32G MLC NAND Flash。
双方的合资公司IM Flash表示，明年将开始试产34nm低密度MLC（multi-level cell）和SLC（Single-level cell）产品。
该公司称34nm NAND flash量产
英特尔和美光日前开始量产双方联合开发的34nm 32G MLC NAND Flash。
双方的合资公司IM Flash表示，明年将开始试产34nm低密度MLC（multi-level cell）和SLC（Single-level cell）产品。
该公司称34nm NAND flash量产提前开始，今年年底预计Lehi工厂将有50%的产能转向34nm。
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