海力士半导体在世界上率先研发出2Gb移动DRAM

据韩联社报道，海力士半导体在世界上率先研发出了采用54纳米技术的2Gb移动动态随机存取存储器(DRAM)，计划从明年上半年开始生产。

该产品是世界上首个采用54纳米超微工艺的2Gb高容量产品。目前用于多芯片封装(Multichippackage，MCP)和层叠封装(PackageonPackage，简称PoP)的移动DRAM产品中容量最高为1Gb，而该产品可实现2Gb的容量。

电力消耗也仅为现有存储器的八分之一，适用于手机、数码相机、MP3播放器、导航仪等产品。

此外，该产品可在1.2伏超低电压下启动，数据传输速率最高达到400Mbps，通过32个信息出入口，每秒可处理大约1.6GB的数据。