掌握闪存技术 才能解救台DRAM产业

由于产业先前进入景气循环的低潮，继之又碰到史上罕见的全球景气衰退，DRAM产业的形势到了2008年下半已经到极为险峻的地步。这不仅发生在国内，也发生在全球各DRAM厂。内存产业是台湾半导体产业的两大支柱之一，台湾半导体产业有晶圆厂的，不做晶圆代工，就做内存。如果这些厂家真的走到无以为继的地步，其在金融业引起的本土风暴至少要10倍于雷曼兄弟的输入型风暴。而且在其上、下游产业如半导体设备厂、封装厂、模块厂、计算机产业等，也会发生极其严重的连锁反应。撇开内存产业的策略性地位不谈，单只是以总体经济的角度来看，如果政府坐视其崩溃，将来的心情会有如美国坐视雷曼兄弟倒闭，从后来的局势来看，会悔恨犯了关键性的错误，没有在合宜的时机以几百亿美元的代价来纾困，以至于衍生了即使以上兆美元都不见得能解决的金融风暴以及景气衰退。因此政府决定此时伸出援手，从台湾的总体经济局势未看，也是势所必然。

Flash才是推动技术的重心

但是要怎么纾困才能在解决解目前的问题之外，还能顾及将来长期的发展，这就是纾困方案良窳的关键。要谈方案，要先回看整个产业的发展历史与现状。台湾的DRAM产业在90年代后期形成其结构，有上下游价值链的分工，也有水平竞争。DRAM产业发展初期，台湾的晶圆厂大致上都是以接受国外厂商的技术移转、为之代工生产并兼做少量自我品牌产品的营销。近来的模式则改变为共同的技术研发、共同投资及各自的品牌营销，但代工仍然是合作协议中的重要一环。回顾这10余年的发展，台湾的整体DRAM产业在此先后两个模式的运作下的资产回报率( Return of Equity；ROI) 累计是负的，这有全世界DRAM产业的整体问题，也有台湾在全球产业链所居的地位问题。前者的问题反应在海力士(Hynix)需要其债权银行的重新投入，奇梦达(Qimonda)请求其邦联政府及母公司英飞凌(Infineon)的资金挹注等。即使像美光(Micron)没有接受政府的资助，看似体质还能支撑，但也己进入第8季的连续亏损。全球大概除了三星电子(Samsung Electronics)之外，都面临了长期结构性的亏损问题。

分工地位不良 台厂雪上加霜

台湾的问题还有在整体产业链分工不利地位的问题；表面上从技术授权变更为技术共同研发在技术自主上是往前迈了一步，但其实并没有大幅的改善。内存产业近年的研发策略大体上是Flash与DRAM共享基本平台以享受制程开发与量产的综效，但Flash的制程要较DRAM早1至1.5个世代，是制程推进的驱动力。台湾的厂商只参与DRAM制程的共同研发并无法掌握最核心、最先进的制程平台技术，也无法将其产品线扩展及产值更大的Flash，而国外的厂商通常以基础技术的移转的所得当成共同投资的资本，所以共同投资的负担实质上全落在台湾厂商身上，这是台湾厂商在历次不景气时会处于更不利处境的原因之一。

台湾并不是没有能力去开发、掌握最先进的半导体制程技术，像是在代工领域中，台湾的制程技术是全世界最先进的。台湾内存厂商已经接受了多年的技术移转，所掌握的技术已经很接近世界技术的前沿，所需要的是体制上能支撑自主的研发。

体制的问题，最主要是指研发的规模经济。以竞争最激烈的Flash为例，除了庞然大物的三星之外，几乎所有的其它制造商都是结盟配对研发的，像是东芝(Toshiba)与新帝(SanDisk)、海力士与意法半导体(STMicroelectronics)、美光与英特尔(Intel)。这些公司，任何1家的营业额至少都是台湾内存公司的3、4倍大以上，对于Flash前沿制程研发尚需如此寻求奥援，遑论台湾的内存公司，更不用说要同时兼顾Flash与DRAM的研发。

记取海力士教训 提防反补贴税

研发的规模经济并不一定要在公司内完成，像上述Flash的研发都是跨公司的结盟。以前台湾的几家内存公司也曾经试图组成「先进半导体技术研发机构」 ( Advanced Semiconductor Technology Research Organization; ASTRO) 来共同开发制程，可惜后来因为一些法规细节的障碍而功败垂成。

了解了这些背景历史之后，纾困方案的几个成功的必要条件大概也就呼之欲出。首先，NAND Flash是目前内存制程技术的驱动力，没有NAND Flash在方案中，内存公司不管在技术研发、产能调配、产品业务都会很被动。以前台湾的内存公司并不是虑不及此，但谈合作时筹码不够，自己开发时又没有足够的规模，是以一直在此领域没有主要斩获。现在如果谈判筹码增加，NAND Flash的加入是首要目标。另外，研发的规模经济要能形成，规模的建立可以是在公司内的或者是跨公司的；如果是跨公司的联合研发，形成共同的专利组合 (Patent Portfolio) 是一个重要的步骤，可以使参与的厂商少付许多专利授权费。这些研发的项目除了目前当成火车头的NAND Flash之外，因为有足够的规模，应该还考虑选择一项未来性的内存技术，譬如PCRAM (相变随机存取内存)、FeNAND (铁磁闪存)、MRAM (磁阻随机存取内存)、Nano Tube (纳米碳管) 等来研发，以确保将来制程或产品演进时，有可以立即进行的新方向。

最后要提醒的是政府的纾困方案必须有妥善的法律研议与安排。在亚洲金融风暴时，南韩政府主导乐金与现代的合并，形成今日的海力士。虽然产业存活下来了，却因为政府的伸以援手，在之后的几年，海力士在欧、美、日饱受反补贴税(counter veiling tax) 之苦。以今日的环境，政府对艰困产业伸以援手，自然别的国家的厂商无以置喙，但以后市场恢复正常运作时，就难保不以此做文章。像目前对海力士的纾困，是由其债权银行为之，这个做法就是将未来可能受挑战的弱点先予以排除。殷鉴不远，要小心为之。