台积电承认40nm工艺遭遇障碍 明年上28nm

在公布最新季度财报的同时，台积电也第一次公开承认，其40nm制造工艺碰到了一些麻烦。

台积电在去年底基本准时地上马了40nm生产线，并在今年第一季度贡献了大约1％的收入，高于预期水准，预计今年第二季度会达到2％左右。

台积电CEO蔡力行在回答分析师的提问时说：“良品率是有些问题。对制造商而言40nm是一项非常困难的技术。(不过)我们已经找到了问题的根源，并且已经或正在解决。”

结合此前消息，台积电40nm工艺可能无法很好地控制漏电率，难以制造高性能GPU芯片，不过蔡力行并未详加说明，只是声称台积电已经完成了基于28nm工艺的可用SRAM单元，预计2010年第一季度开始启用这种新工艺，届时会带来高K介质和金属栅极技术。

蔡力行还在会议期间对今年的多个行业进行了展望：IC产业跌20％、代工产业跌25-30％、PC出货量跌8％、手机出货量跌12％、消费电子产品出货量跌7％。

今年第一季度台积电收入395.00亿新台币(￥81.26亿元)，环比减少38.8％、同比减少54.8％，净利15.59亿新台币(￥3.21亿元)，环比减少87.5％、同比减少94.5％。台积电将此糟糕业绩归咎于全球经济低迷导致客户调整库存，半导体行业需求全面锐减。

就生产工艺而言，0.13微米依然撑起了台积电总收入的65％，其次是90nm 25％、65nm 23％、45/40nm 1％。

竞争对手联电一季度亏损81.6亿新台币，相比上季度的235.1亿新台币大为减少，并预计今年第二季度即可重新盈利，同时生产线开工率已从30％升至75％。

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