台积电准备明年初提供28nm全代工艺

台积电研发副总裁Jack Sun在日本举行的一次研讨会上宣布，28nm低功耗生产技术已经研发成功，将在2010年初作为全代(full node)工艺为客户提供代工服务，并可选高性能和低功耗两种应用类别。

台积电表示，借助双/三栅极氧化物技术，32nm工艺阶段的硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料得以在28nm工艺上继续使用。

28nm 64Mb SRAM晶圆也已经获得足够好的良品率，每个单元的面积只有0.127平方微米，原始栅极密度已达每平方毫米390万个。

台积电称，与45nm工艺相比，28nm工艺中使用的低待机、低运行功耗氮硅氧化物能带来最多25-40％的速度提升，同时功耗降低30-50％。

除了Intel打算直接进军22nm之外，业界诸多半导体巨头都在28nm工艺上投入了大量精力，既有这里提到的台积电，也有IBM、GlobalFoundries、特许半导体、英飞凌、三星电子、意法半导体组成的技术联盟，还有东芝和NEC。