NOR Flash接班技术PCM　旺宏布局最积极

三星电子(Samsung Electronic) 和恒亿 (Numonyx)宣布要合作开发相变化存储器(PCM)技术，使得次世代存储器技术的竞争逐渐浮出台面。虽然目前NAND Flash和NOR Flash技术广泛使用在消费性电子产品上，但存储器大厂积极在研发下一世代的主流存储器产品，PCM技术相当受到注目，其中台系存储器大厂旺宏是最早投入PCM存储器研发的业者，旺宏现在的产品线以ROM和NOR Flash为主，未来PCM存储器接棒，旺宏在技术和专利上是最大受惠者。

NAND Flash和NOR Flash存储器目前广泛应用于各种消费性电子产品上，尤其是NOR Flash芯片，虽然单价低，且看似不起眼，但短时间之内几乎没有存储器可以取代NOR Flash，但NOR Flash在制程微缩至40奈米制程之后，会受到物理特性的限制，无法不断藉由持续的制程微缩，来达到成本降低的功效，因此存储器厂纷纷投入PCM技术的研究，希望能找到NOR Flash技术的接班人。

在NOR Flash市场上，PCM技术是现在是各界认为的接班人人选，而在NAND Flash技术上，市场也认为在总有走道极限的1天，因此目前Bandgap Engineered SONOS (BE-SONOS)技术则被看好是NAND Flash的下世代技术。

存储器业者表示，日前三星和恒忆合作开发PCM技术的存储器，显示各界都有危机意识，要投入研发再次世代存储器产品上，其中PCM技术是目前各界认为，可以解决快闪存储器制程微缩物理极限的技术之一，让快闪存储器的速度增加，但又有耗电量的效能。

存储器业者认为，一旦由现有的NAND Flash和NOR Flash技术跨进PCM世代，代表整个存储器产业的技术、专利、产品、应用等都会重新洗排，短期内或许不会发生，但次世代存储器技术需要投入相当大的研发资金，因此有实力的大厂，现在开始投入资源，其实是为未来的生存战铺路。

当PCM世代来临，存储器厂也必须重新取得技术IP等授权，现在谁能累积多一点专利，就是未来的赢家，就像现在新帝(SanDisk)坐收NAND Flash专利授权金一样，连三星都每2~3年要跟他签约一次，付权利金给新帝。

目前台湾最积极开发PCM存储器者为旺宏，与IBM等国际大厂合作研发，已经投入PCM技术领域相当多年，手上也有不少相关的专利技术，旺宏在20奈米尺寸以下的PCM技术，可克服快闪存储器的制程物理极限，未来PCM技术世代来临，将比其它竞争对手在技术和专利上，更领先一步。

因此，目前旺宏在下世代技术体技术中，针对NOR Flash和NAND Flash存储器，分别投入研发资金力拱PCM技术和BE-SONOS技术，是台系存储器厂中，少数投资巨额研发资金研究次世代存储器产品的业者，存储器厂认为，PCM技术和BE-SONOS技术要成主流可能要等上5~10年，但旺宏现在投入研发，未来可望能成为专利技术的拥有者之一。