东芝展示16纳米芯片

目前，世界内存芯片和逻辑电路生产工艺普遍还处于30纳米和42纳米。近日，日本东芝公司表示，他们突破了目前芯片生产工艺的瓶颈，通过使用锗元素生产出了厚度仅为16纳米金属绝缘半导体场效应晶体管，并且将来的产品可能会更薄。

很早以前就人们就已经知道，锗元素具有制造微小设备的潜力，但是使用锗元素生产芯片的难度比使用硅元素要大的多，其原因是因为锗是一种金属元素，用锗元素生产的芯片很难限制其电流处理能力。

不过，东芝似乎已经克服了这个问题，新的芯片生产工艺是将很薄的一层锶元素与一层锗元素结合成夹层结构（见下图），两种材料之间距离小于1纳米，使用这种锶锗复合材料最终生产出了16纳米的芯片。东芝公司计划在本周晚些时候召开的2009京都大规模集成电路研讨会上展示这个工艺的其它一些详细细节。

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