英特尔联手美光推34纳米工艺NAND芯片
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8月12日消息,据国外媒体报道,英特尔和美光科技今天宣布,双方已将当今最小的NAND芯片应用于消费存储设备。
新NAND闪存芯片采用34纳米生产工艺,每单元可储存3比特。新产品由两家公司合资企业IM Flash Technology公司设计和生产,目标产品是闪存卡、USB驱动器和其它设备。
目前几乎所有的闪存芯片都只能在每个单元中存储1位或2位数据,而存储3位数据的技术则可起到提高容量和降低成本的作用。
NAND芯片通常用于闪存卡和U盘等存储设备,存储器的访问方式类似于硬盘。英特尔上个月称,该公司正在向更加先进的34纳米制造工艺转型,来生产其基于NAND闪存技术的固态硬盘产品,这种产品将可帮助PC和笔记本厂商降低成本。
英特尔副总裁兼NAND解决方案事业部总经理兰迪·威尔海姆(Randy Wilhelm)表示,走向3比特技术,是英特尔和美光在34纳米NAND开发过程中突破性进展的又一个证明。