DRAM厂40纳米开战　50纳米恐昙花一现

台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战!三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次虽没赶上50纳米世代，差点出现世代交替断层危机，公司内部已研拟2010年将略过50纳米世代，直接跳到40纳米，50纳米恐成短命制程，未来真正决战点会是40纳米制程技术。

三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大厂2009年纷转进50纳米制程，且进入量产出货阶段，然台厂技术却仍停留在70纳米制程，甚至身陷生存危机，然更危急之处在于国际大厂现在都开始布局40纳米制程，2010年40纳米大战确定提前引爆，50纳米技术恐成短命的过渡制程。

DRAM厂表示，三星不仅维持50纳米制程世代领先地位，更积极研发40纳米产品，且已进入成熟阶段，开始送样给客户进行验证，初期会从6F2技术切入，完全不用更新机器设备，每片晶圆产出可增加20%，相当具成本竞争力，待良率成熟后，再进入高阶4F2技术，40纳米制程将是三星重点布局的秘密武器。

美光40纳米制程已进入成熟阶段，预计于2010年进入量产，美光是全球第1家导入6F2技术的DRAM厂，在0.11微米制程世代就开始导入，根据美光内部蓝图规画，待40纳米6F2技术成熟后，亦将紧接著导入4F2技术。

台厂方面，南亚科和华亚科预计2009年下半开始导入50纳米制程，目标2010年底全数产能转进50纳米，且产品线全规划为DDR3，由于转进40纳米所需要机台、铜制程技术等，南亚科和华亚科在规划50纳米制程时，都已配备齐全，因此，后续切入40纳米速度相当快，初期先规划6F2技术，再转进4F2技术，将是唯一有能力同时加入50和40纳米战局的台DRAM厂。

至于尔必达在这次50纳米制程大战，由于金融风暴袭击，新制程出现断层危机，只能停留在65纳米制程，短期因应对策是研发省钱的制程技术，业界暂称为60纳米制程技术，在不需要购买新机台下，成本可再降20%。尔必达内部已研拟将略过50纳米制程，2010年直接由60纳米跳到40纳米制程，以免落后竞争对手太多。

DRAM厂认为，50纳米未来恐是短命制程，未来真正决战点会是40纳米制程，若DRAM厂此时能募得资金布局40纳米，才有机会在2010年扳回一城。