东芝Sandisk计划明年下半年启用2xnm制程量产闪存芯片
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据业者透露,东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能,直至达到20万片的产能水平。
东芝公司最近已经开始32nm制程3bpc(每存储单元3bit数据)闪存芯片的量产,按原先的计划,合资的四日市芯片厂32nm制程芯片的产量应在今年底前达到总产量的50%左右,不过按目前的产能规划来看,实际的量产实施时间看来已经会有所拖延。
另一方面,对手Intel和美光两家公司也曾表示称会在年底前开始使用20nm级别的制程技术制造闪存芯片。两家公司合资成立的IM Flash公司近期会开始采用34nm制程技术制作3bpc 32Gb NAND闪存。
三星公司也在积极跟进,他们正计划将其在德州奥斯丁的8英寸芯片厂升级为12英寸芯片厂,这样到明年下半年之前,他们的闪存芯片产能便能进一步提高。据此前的报道显示,三星目前正采用42nm制程技术量产制造NAND闪存。
预计闪存芯片采用2Xnm制程技术制作后,SSD硬盘产品的成本将有显著下降,这样SSD硬盘取代传统机械硬盘的步伐便会大大加快。