三星开始量产60nm工艺的512Mbit PRAM

韩国三星电子（Samsung Electronics）开始量产新一代非易失性内存PRAM（Phase Change RAM）。此次量产的是采用60nm左右工艺的512Mbit产品。主要面向智能手机等便携产品。

通过配备PRAM，除了可将便携产品的电池寿命延长20％以上外，还能够以约为NOR型闪存7倍的高速度改写数据。今后，三星电子将进一步推进PRAM的细微化。

三星电子的Sei-Jin Kim（移动内存规划与推广事业部内存部门副总裁）在此次的新闻发布会上表示，“将来，PRAM将成为本公司的核心内存产品之一”。