Hynix开始量产54纳米制程1GB DDR3节省30%耗电量

Yonhap News报导，南韩内存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，将开始量产一款采用54纳米制程技术的1GB DDR3 DRAM，其耗电量将节省30%，运算速度则较DDR2增加近1倍。

Hynix表示，该公司计划将能源节省技术应用于未来推出的产品，包括即将在本季稍晚量产的44纳米制程2GB DDR3。此外，Hynix并计划在09年底前将DDR3产能比重由目前的30%提升至超过50%。

根据科技市调机构iSuppli统计，1GB DDR3 DRAM占总体DDR3市场的比重目前已达87%。