新技术导入 封测角色更吃重

趁着DRAM价格直线飙涨之际，全球DRAM厂已展开50奈米微缩大作战，新制程与过去相较最大的不同，就是DRAM将首度导入浸润式微影（immersion lithography）及铜制程导线（copper interconnect）等两大新技术。
由于技术世代交替，后段封测技术也跟着转换，过去占DRAM成本低于10％的封测制程，在50奈米世代将提升到15％至20％，如力成（6239）、华东（8110）、福懋科（8131）等封测厂角色将更为吃重。
高阶逻辑芯片市场今年出现65/55奈米制程世代交替风潮，封测制程同步转换，带动了芯片尺寸覆晶基板（FCCSP）市场正式起飞，景 硕、欣兴、全懋等基板厂业绩大好，也因此让封测成本占芯片总成本的比重，由过去的低于20％一下子大幅拉高到30％。而此一现象如今也发生在DRAM产 业，主要原因就是DRAM厂制程将改用全新技术，才有办法走到50奈米以下。
50奈米之所以成为DRAM厂最大的挑战，一是微影技术将改为浸润式制程，二是要将过去使用的铝制程导线改成低介电（low-k）铜制程 导线，这些都是过去20年DRAM厂没用过的新技术，也因此，现在12吋晶圆厂中几乎有逾半设备都要进行更换，除了需要大笔资金投入，也必需要求后段封测 厂配合。
过去几年70奈米及60奈米DRAM制程十分成熟，单颗芯片封测成本约0.3美元左右，但改成50奈米铜制程后，新一世代DDR3芯片植 球数又增加至78球或96球，所以封测成本一下子就拉高到0.45至0.5美元。以50奈米投产1Gb DDR3的总成本约2美元来算，封测成本占DRAM成本比重，已由过去10％以下，一下子拉高到15％至20％。
封测成本拉高，也有机会推动国际大厂扩大委外代工。目前只有尔必达将封测业务全数委外代工，海力士则仅释出部份代工订单，三星及美光都是 在自有封测厂中完成制造，但因过去2年之中，三星及美光并没有升级自有设备，所以未来委外代工机会大增，据业者推估，福懋科最有机会承接美光后段封测订 单，力成则有机会成为三星后段代工厂。