东芝、尔必达提高半导体事业资本支出

自2009年夏季起全球半导体市场需求回温，日本半导体大厂增资动作亦转趋积极。日本经济新闻报导指出，东芝(Toshiba)将与美国业者共同投资1，500亿日圆(约16亿美元)于NANDFlash事业，提高约4成产能；尔必达(Elpida)亦计划在2010年度中，投资600亿日圆于主力据点，以增加3成出货量。

报导指出，东芝拟于2010年度初期在三重县四日市NANDFlash厂导入尖端设备，此亦为2007年来东芝在NANDFlash事业上的大举投资。据悉，增设新生产线后，整厂生产规模将由26万片提高为36万片。

另一方面，为因应市况，东芝四日市厂将不休假，产能满载。2008年该厂受景气低迷影响，休假期间长达13天，产能利用率亦大幅滑落。而东芝的大分厂、北九州厂、姬路厂最多停工2天亦较2008年的状况大幅改善。