海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM

韩国存储器厂海力士(Hynix)于2009年12月20日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM，工作频宽为7Gbps，32位元I/O通道，数据处理速率每秒28GB/s，电压为1。35V。

新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造，体积小，功耗比50纳米制程产品下降20%。海力士预计在2010年下半开始量产新款GDDR5DRAM。